📚 三通道技术资料

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随着IntelCorei7平台发布,三通道内存技术孕育而生。与双通道内存技术类似,三通道内存技术的出现主要是为了提升内存与处理器之间的通信带宽。前端总线频率大多为800MHz,因此其前端总线带宽为800MHz×64-bit/8=6.4GB/s。如系统使用单通道DDR400内存,由于单通道内存位宽只有64-bit,因此其内存总线带宽只有400MHz×64-bit/8=3.2GB/s,显然前端总线将有一半的带宽被浪费。三通道内存将内存总线位宽扩大到了64-bit×3=192-bit,同时采用DDR31066内存,因此其内存总线带宽达到了1066MHz×192-bit/8=25.5GB/s,内存带宽得到巨大的提升

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近年来在运动控制领域三电平中压变频器的开发研究得到了广泛关注,三电平逆变器使得电压型逆变器的大容量化、高性能化成为可能,研究和开发三电平逆变器,无论在技术上还是在实际应用上都有十分重要的意义。 本文首先论述了三电平逆变器的原理,详细分析了一种控制策略—空间电压矢量法,给出PWM波的计算公式和开关动作...

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