三次B样条曲线源代码,C语言编写的三次B样条曲线源代码，希望大家喜欢。
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上传时间： 2013-07-13
上传用户：chengli008
低压电器电弧运动过程三维成像理论及运动机理研究在国内外取得了一定的进展，但作为一种新型电弧研究方法，特别是对电弧运动可视化方面的研究尚处于起步阶段，其技术涉及到电器学、数值计算、图像处理、计算机科学等众多学科领域，加之电弧复杂的非线性特性及其瞬时特性，导致测量研究的困难，在电弧机理、性能分析和模型设计等方面都还不够成熟、完善。所以，在电弧模型理论研究、电器电磁机构的三维有限元分析、电器的计算机辅助设计、电弧动态特性研究等方面，存在大量的工作要做。对这些问题的深入研究，可以更好地认识电器触头在整个运动过程中极其复杂的电、热、磁、机械等一系列现象。 为了从不同角度观察分析电弧在灭弧室中的动态运动过程，本文在研究开关电器电弧图像增强及运动过程三维可视化的基础上，分析电弧形成机理、电弧特性和运动形态的基本理论，进一步考虑其模型特性和电弧等离子体磁压缩效应，建立其运动数学模型。电弧图像需要的处理主要有：图像数字化、图像平滑、图像分割、图像边缘检测、图像增强。本文提出一种基于小波变换的图像增强和直方图的图像增强算法，在保留电弧弧柱强特征的同时，突出显示电器动触头图像特征使增强后的电弧图像适合人类的视觉特征，为电弧动态过程分析和电弧可视化模型的构建提供有效的分析基础，并取得良好的电弧图像增强效果。本文构造了基于比色测温原理的电弧辐射拾取、图像采集、同步控制、数据处理等硬件装置，对试验采集装置进行了标定；将医学上成功应用的计算机层析成像理论，应用于对电弧进行三维温度场重建的研究，构造可单面阵CCD采集三组六路投影辐射强度的实验装置，通过对触头边缘检测的手段精确定位于不同光路中电弧的位置，对辐射拾取光路进行校准，编制了系统软件，实现电弧三维温度场的重建。研究数学模拟计算方法，提出了适合低压电器电弧数学模型计算的方法。用计算机求解获得以前依靠实验才能获得的开断波形及运动过程，将理论分析、试验研究和计算机仿真有机结合起来，使产品设计更加科学和准确，可以大大减少设计周期，减少试验的盲目性和费用，有利于提高电器产品的技术性能，对于新产品开发，优化灭弧室设计及模拟实验，具有十分重要的意义。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：cngeek
该系统是一款磁卡阅读存储器，根据用户要求解决了普通阅读器只能实时连接计算机，不能单独使用的问题。而且针对作为特殊用途的磁卡，要求三道磁道都记录数据，并且第三磁道记录格式与标准规定的记录格式不同时，系统配套的应用程序对其做了正确译码、显示。 @@ 整个系统包括单片机控制的阅读存储器硬件部分，和配套使用的计算机界面应用程序软件部分。其中硬件电路包括磁条译码芯片、外部存储器芯片、串口电平转换芯片等等，所有的工作过程都是由单片机控制。我们这里选用紫外线擦除的87C52单片机，电路使用的集成电路芯片都是采用SMT封装器件，极大缩小了读存器的体积，使用简单，携带方便。 @@ 磁条译码芯片采用的是中青科技有限公司出品的M3-230.LQ F/2F解码器集成电路。该IC实现了磁信号到电信号的转换。外部存储器则是使用的8K Bytes的24LC65集成芯片，扩展8片，总容量达到8×8K。 @@ MAXIM公司出品的MAX232实现了单片机TTL电平到RS232接口电平的转换，从而与计算机串口实现硬件连接。 @@ 计算机界面显示程序采用当今使用最广的面向对象编程语言Visual Basic 6.0版本(以后简称VB)，并且使用VB带有的串口通信控件MScomm，通过设置其属性，使其和下位机单片机协议保持一致，进而进行正确的串口通信。关于磁道上数据记录的译码，则是通过对每条磁道上数据记录进行多次实验，认真分析，进而得到了各条磁道各自的编码规则，按照其规则对其译码显示。这部分程序也是通过VB编程语言实现的。另外，计算机应用程序部分还实现了对下位机读存器的擦除控制。 @@关键词：磁卡，阅读存储器，单片机，串口通信，track3数据译码
上传时间： 2013-08-05
上传用户：黄华强
近年来，多电平逆变器在高压大容量电能变换中得到广泛应用，而其控制策略和电路拓扑等已成为了研究热点。相对传统的两电平逆变器，它具有效率高动态性能好，对电动机产生的谐波少，适合高压大容量等优点。但随着电平数的增加，基本控制算法越来越复杂，同时还存在中点电压不平衡等问题。将DSP数字控制技术应用于多电平逆变器不仅简化了系统的硬件控制电路，提高了系统性能，还可以实现系统的优化控制。 本文以二极管箝位式三电平逆变器为研究对象，首先介绍了三电平逆变器的拓扑结构和工作原理，对三电平逆变器的电路方程进行了深入的分析，在开关函数的基础上建立了三电平逆变器的数学模型。在此基础上，对空间电压矢量脉宽调制（SVPWM）算法进行了改进，并详细推导了该调制算法的计算公式，结合中点电位控制来确定开关矢量的作用顺序，使仿真和实现都比较容易。然后重点分析了三电平逆变器直流侧电容电压不平衡问题产生的原因，提出了一种能控制逆变器直流侧电容中点电位平衡的电压空间矢量脉宽调制方法。最后采用MATLAB仿真软件对所推导的三电平逆变器SVPWM调制算法和中点电位平衡控制方法进行了仿真分析，证明了该调制算法的正确性和可行性。
上传时间： 2013-05-20
上传用户：PresidentHuang
随着绿色工程的实施，在照明领域，已将电力电子技术广泛应用到电气照明中去，所以寻找绿色、高效、长寿命、光色好等优点的照明设备已成为必然。高强度气体放电灯(High-Intensity-Discharge)由于光效高而节能，已经在照明领域取得广泛的应用。但传统的电感镇流器存在诸多缺点，故与之配套的HID灯电子镇流器的开发成为研究的热点，本文对基于数字控制的HID灯电子镇流器进行了研究与设计。 本文第二章阐述了气体放电的基础知识和电光源的基本参数。比较了电子电感镇流器的优缺点，针对HID灯对电子镇流器的要求，介绍了电子镇流器基本原理和发展趋势。第三章对高强度气体放电灯的关键技术进行了研究。首先是对电子镇流器的拓扑结构进行分析与比较，选定了传统的三级结构进行设计，其次是对电子镇流器的核心-逆变器的结构进行了分析，选定了全桥逆变结构，再次是对HID灯的各种点火电路的结构进行分析，本文选定了用单片机进行控制的点火的方式；最后是对灯的声谐振进行了各种方式的比较与分析，给出通过数字调频的方式来抑制声谐振理论分析。第四章主要通过比较各种功率因数校正的优缺点，并采取了基于boost结构的临界功率因数校正。第五章对HID灯启动工作过程进行了分析，提出了三段线性控制的策略，给出了控制的理论分析;比较了间接和直接两种控制恒功率的方法，选定间接控制方式。第六章主要对数字控制的250W金卤灯的样机的实现中的部分电路(保护、驱动、逆变)进行分析与设计并给出了部分电路图和软件设计的流程图以及部分仿真与试验波形。最后在第七章对试验结果进行分析，对本文的设计进行小结以及对未来的展望。
上传时间： 2013-07-16
上传用户：heart_2007
近年来，在电气传动领域中三电平变频器得到了广泛的应用。三电平逆变器拓扑结构的出现为高电压、大功率变频器的实现提供了一个有效的途径。研究和开发三电平大功率变频器，无论在技术上还是在实际应用上都有十分重要的意义。本文围绕三电平大功率通用变频器的实用化技术进行了深入分析和研究。 论文首先介绍了三电平逆变器主电路的拓扑结构、控制要求、基本原理、特性和PWM控制策略以及调试中存在的问题和相关的解决方法。 中点电位不平衡是三电平拓扑结构的一个固有问题。针对这一问题，本论文分析了中点电压不平衡的根本原因，采用了一种基于滞环控制的电压平衡控制方法。该方法根据负载电流方向的不同组合，通过调整小矢量的冗余状态和作用时间，并充分考虑到中矢量对中点平衡的影响，动态调整两个电容器上的电压，同时，详细地分析了当参考电压矢量落到具有一种或两种冗余小矢量的小三角形区间时开关状态的选择、开关序列的顺序以及作用时间的分配。 基于载波的调制策略是三电平变频器采用的主要调制方式之一。本论文对所采用的基于载波的调制策略，作了深入分析，得出了相应的谐波特性。基于谐波总含量，对调制特性的优劣进行了比较，同时得出了不同载波调制策略输出电压谐波含量与调制度变化的对应关系，并通过实验和仿真对相关结果进行了验证。 主电路和控制电路的硬件设计将直接影响到变频器的运行性能。本论文介绍了在现场实际运行中变频器的主回路及其控制回路的硬件设计，采用理论计算与实践验证相结合的方法得出器件相关参数，并且针对变频器内外RCD缓冲电路在工作时所产生的电压不平衡作了分析，详细的给出了其缓冲吸收电路算法。 最后，把本文的部分研究结果应用于实际工业现场中，研制了690V/600kW的大功率中压变频器，给出了现场运行结果。运行结果表明该变频器输出波形良好，性能满足要求。
上传时间： 2013-08-03
上传用户：kirivir
氙灯作为高强度气体放电灯，其较好的显色性，高光效等优点大大超过传统的卤钨灯，越来越受到市场的青睐，与其配套的电子镇流器的研制也成了热点。鉴于氙灯复杂的启动特性，与模拟控制相比，数字控制因其较大的灵活性在此控制方面显示了较大的优势。本文将以数字控制的汽车头灯电子镇流器为研究课题，对其一些关键的问题加以研究和探讨。 论文的绪论部分将首先介绍汽车头灯的发展历史，接着对汽车头灯电子镇流器存在的难点问题做简要的分析，指出目前其所处的现状，并结合汽车头灯未来发展趋势谈谈本次课题的可行性和必要性。 第二章首先给出了目前氙灯电子镇流器的基本电路结构，考虑到第一级直流升压变流电路的重要性，较详细讨论了目前具备升压功能的几个典型电路的特点。鉴于氙灯较高的点火要求，对几种典型的点火电路做了分析比较，最后讨论了控制模式及其具体的控制方式。 第三章对汽车头灯电子镇流器进行了全面的设计。依据汽车头灯电子镇流器的主要技术指标，较详细给出了主电路的设计过程，并还对其做了相应的损耗分析及效率估计。接着介绍了单级电压递升式点火电路设计，模数控制方式的原理，及控制回路中典型控制电路的设计，最后通过实际样机的制作，论证其设计的合理性。 第四章详细分析了高强度气体放电灯的启动特性，并根据金卤灯和氙灯各自启动特点及相应要求，分别提出了适合各自启动要求的控制方法。此外，在大量文献阅读的基础上，比较了当前典型的恒功率控制方案。在这个基础上，提出了基于数模混合控制的新型恒功率控制方案。最后通过实验验证了这些控制方法的可行性及正确性。
上传时间： 2013-07-08
上传用户：kaka
高频电子线路(第三版)，高等教育出版社。经典教材
标签： 高频电子线路
上传时间： 2013-05-17
上传用户：Amos
多电平逆变器在大容量、高压场合得到了广泛的应用。在多电平逆变器的多种控制策略中，空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法具有调制比大、能够优化输出电压波形、易于数字实现、母线电压利用率高等优点，成为人们关注的热点。 本文首先对电力电子技术的发展前景和多电平逆变器控制技术的发展状况进行了综述。在分析两电平逆变器工作原理的基础上对三电平逆变器进行了研究，综合比较了三电平逆变电路三种典型拓扑结构的优缺点；介绍了二极管箝位型三电平逆变器，分析了二极管箝位型三电平逆变器相对于传统两电平逆变器的优点，体现了课题研究的重要意义。其次，本文以中点箝位式三电平逆变器的基本拓扑结构为基础，着重分析了三电平空间电压矢量调制基本原理，提出了一种将最近的三个矢量合成参考矢量的空间矢量脉宽调制算法，给出大扇区和小三角形区域判断规则以及合成参考电压矢量的相应输出作用顺序，并优化了开关矢量的作用顺序，利于实现对中点电压的控制，使算法易于实现。再次，论文分析了三电平逆变器直流侧电容电压不平衡产生的原因，分析了大、中、小矢量对中点电位的影响，提出了能够影响中点电位波动的关键矢量，并通过分配成对小矢量的作用时间实现了对中点电位的控制。最后，采用MATLAB软件对所推导的三电平逆变器SVPWM调制算法进行了仿真分析，结果证明了算法的可行性。
上传时间： 2013-08-01
上传用户：icarus
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
