代码搜索:TSF控制器

找到约 3,534 项符合「TSF控制器」的源代码

代码结果 3,534
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c crc_算法.c

『关闭窗口』 CRC算法原理及C语言实现(介绍了3种方法) 摘 要 本文从理论上推导出CRC算法实现原理,给出三种分别适应不同计算机或微控制器硬件环境的C语言程序。读者更能根据本算法原理,用不同的语言编写出独特风格更加实用的CRC计算程序。 关键词 CRC 算法 C语言 1 引言 循环冗余码CRC检验技术广泛应用于测控及通信领域 ...
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txt 说明文档.txt

CLK:为同步时钟; EN:使能信号,为1的话,控制器开始工作; LAMPA:控制A方向四盏灯的亮灭;其中,LAMPA0 ~ LAMPA3,分别控制A方向的左拐灯,绿灯,黄灯和红灯。 LAMPB:控制B方向四盏灯的亮灭;其中,LAMPB0 ~ LAMPB3,分别控制B方向的左拐灯,绿灯,黄灯和红灯。 ACOUNT:用于A方向灯的时间显示,8位,可驱动两个数码管; BCOUNT:用于B方向 ...
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c cmpmnckj.c

//本程序为Franklin/keil C51源程序,可以在所有51系列(或兼容)单片机中运行。 //完成功能:使用任意2个引脚模拟串行接口,实现对触摸屏控制器数据的接收 // 和对KY系列智能液晶终端进行控制. //程序中给出了设计方法,通过修改TIMEzq使本程序适用于各种晶振及各种波特率. //本例为:当通讯波特率=9600Hz,单片机晶振=18.432MHz时, ...
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txt 单片机人机接口触摸屏.txt

接口/总线/驱动:单片机扩展触摸屏人机接口的应用实例 来源: 王爱华 时间: 2007-9-25 15:18:17 光功率计自动测试系统设计 基于StratixⅡ的加法树设计及其应用 基于FPGA的PCI总线接口设计 (图) 基于FPGA的生物芯片扫描仪的位置检测   摘要: 本文介绍了四线电阻式触摸屏控制器BBADS7843与AVR单片机Atmega128的硬件 ...
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m q821.m

%《MATLAB在电子信息课程中的应用》第八章例8.21程序q821 % 连续系统最优控制器设计之一 % 电子工业出版社出版 陈怀琛 吴大正 高西全合著 2001年10月 clear, A=[0,1,0;0,0,1;-35,-27,-9];B=[0;0;1]; Q=eye(3);R=1; [K,P,E]=lqr(A,B,Q,R) C=[1,0,0];D=0; s1=ss(A,
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m q822.m

%《MATLAB在电子信息课程中的应用》第八章例8.22程序q822 % 连续系统最优控制器设计二 % 电子工业出版社出版 陈怀琛 吴大正 高西全合著 2001年10月 clear, A=[0,1,0;0,0,1;-1,-4,-9];B=[0;0;1];C=[1,0,0];D=0; % 设定系数矩阵 q11=input('q11= ');R=input('R= '); % 输入加权
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txt gpio中断.txt

1. GPIO作为中断使用; 在以前常见的GPIO作为中断使用的时候,一般做以下步骤即可: * 设置GPIO复用功能为 一般的GPIO功能; * 设置GPIO为input状态; * 设置产生中断的方式;上升延,还是下降延; * 设置中断控制器 enable GPIO_X位 在其他的平台或许你这样设置就没有什么问题了。但是在PXA 27x 系列中,你必须设置: IPR0-IPR39 ...
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c cmpmnck.c

//本程序为Franklin/keil C51源程序,可以在所有51系列(或兼容)单片机中运行。 //完成功能:使用任意2个引脚模拟串行接口,实现对触摸屏控制器数据的接收 // 和对KY系列智能液晶终端进行控制. //程序中给出了设计方法,通过修改TIMEzq使本程序适用于各种晶振及各种波特率. //本例为:当通讯波特率=9600Hz,单片机晶振=18.432MHz时, ...
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ewb 场效应管放大器的放大原理电路图.ewb

Electronics Workbench Circuit File Version: 5 Charset: ANSI Description: "场效应管放大器的放大原理电路图" " 场效应管是电压控制器件,其漏极(d)电流受栅极(g)电压的控制。" " 在vs的作用下,漏极电流iD将发生变化。" " 场效应管的源极s,栅极g和漏极d分别对应于晶体管的发射极e、基极b和集电
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ewb 场效应管放大器的放大原理电路图.ewb

Electronics Workbench Circuit File Version: 5 Charset: ANSI Description: "场效应管放大器的放大原理电路图" " 场效应管是电压控制器件,其漏极(d)电流受栅极(g)电压的控制。" " 在vs的作用下,漏极电流iD将发生变化。" " 场效应管的源极s,栅极g和漏极d分别对应于晶体管的发射极e、基极b和集电