代码搜索:高通骁龙

找到约 10,000 项符合「高通骁龙」的源代码

代码结果 10,000
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txt 注意.txt

编译前注意修改工程选项,目标芯片 : M16 指向你的ICC的安装路径,如:(根据实际修改) D:\PROGRA~1\icc\include\ D:\PROGRA~1\icc\lib\ obj\ 根据你实际电路,修改LCD.h即可。数据口一定要用高4位,如PA4,PA5,PA6,PA7 ------------------------------------------------
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asm key.asm

KEY: MOV P1,#0F0H ;行线置低电平,列线置输入态 KEY0: MOV A,P1 ;读列线数据 CPL A ;数据取反,"1"有效 ANL A,#0F0H ;屏蔽行线,保留列线数据 MOV R1,A ;存列线数据(R1高4位) JZ
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a51 sh603.a51

TXD EQU P1.0 RXD EQU P1.1 ;定义89C51 P1.0 为发送端,P1.1 为接收端 ORG 0000H AJMP MAIN ORG 0100H MAIN: MOV A, #30H MOV R5, #5 SETB RXD ;P1.0 置高 TX: LCALL OUTPUT ;调用发送子程序,将寄存器A
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h zlg7290.h

#define ZLG7290ADDR 0x70 #define CAT24WC02 0XA0 extern INT8U zlg7290DisChar(INT8U position,INT8U toDis); extern INT8U zlg7290Glitter(INT8U pos); /***高八位表示连击的次数***/ extern INT16U zlg
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asm sftor.asm

;********************SFTOR******************** ;本程序实现从内部FLASH传送单字节数据到内部RAM。 ;入口参数:原操作数在FLASH中的地址低字节放在SADR中,高字节放在SADRH中, ; 目标RAM的起始地址放在DADR中。 ;出口参数:相关数据已在指定的连续两个RAM单元中(高地址放高字节) ;占用资源:W,ST
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asm sftor.asm

;********************SFTOR******************** ;本程序实现从内部FLASH传送单字节数据到内部RAM。 ;入口参数:原操作数在FLASH中的地址低字节放在SADR中,高字节放在SADRH中, ; 目标RAM的起始地址放在DADR中。 ;出口参数:相关数据已在指定的连续两个RAM单元中(高地址放高字节) ;占用资源:W,ST
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c key.c

/*硬件连接:段选码P0.0~P0.7(a,b,c,d,e,f,g,h,dp),位选码P2.4~P2.7(低到高) K1--P3.5;K2--P3.4;K3--P3.3;K4--P3.2*/ #include "reg52.h" #include "intrins.h" #define uchar unsigned char #define uint unsigned int
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txt 例9.4.txt

例9.4 将例9.3程序中的构造函数改用含默认值的参数,长、宽、高的默认值均为10。 在例9.3程序的基础上改写如下: #include using namespace std; class Box {public: Box(int h=10,int w=10,int len=10); //在声明构造函数时指定默认参数 int volume( )
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alg 01052508.alg

10:37:17 炉膛出口压力 低 -20. 10. 1 报警 10:37:18 出水压力 低 4.6875e-002 1. 1 报警 10:37:37 炉膛出口压力 低 -20. 10. 1 报警 10:37:39 出水压力 低 4.6875e-002 1. 1 报警 10:37:44 出口水温 高 91.4519 90. 1
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c w8254.c

void Tim0_8254(uint a) { uchar l,h; l=(uchar)(a&0x00ff); h=(uchar)(a>>8); A1_8254=1;A0_8254=1; CS_8254=0x36; //选择写方式控制字,计数器0先低后高字节,方式3,二进制计数 A1_8254=0;A0_8254=0; CS_8254=l;