代码搜索:双馈电机

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代码结果 9,516
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txt 常用电平转换方案.txt

(1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3. ...
www.eeworm.com/read/11353/228085

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(1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3. ...
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v medical.v

//1. 主机有LED显示:主机采用显示屏,可显示护理级别,系统状态。主机面板有16/8个双色LED指示灯,可显示每个分机的工作状态。 //2. 不间断呼叫:主机可显示多路分机的呼叫,并记忆保持。 //3. 二级护理:可在主机上设计护理级别,有高级和普通二种护理级别。 //4. 并机功能:主机有并功能,同一台主机可并多台主机,实现多极管理。 //5. 各分机与门灯连接。 // ...
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(1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3. ...
www.eeworm.com/read/30621/1017052

txt 常用电平转换方案.txt

(1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3. ...
www.eeworm.com/read/32453/1034242

100vhdl+

--以下是部件声明的包 --部件mem_sequence,mem_string,以及协处理器分别在以下的包pkg_components中进行了说明 --每一个内存块中包括一个局部控制器,该局部控制器管理一个双向端口的RAM --其中26-36行是mem_sequence的 --73-83行是mem_string的 --实际上每一个双端RAM都将其自己封装为真正的RAM部件 LIBR
www.eeworm.com/read/32453/1034266

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--以下是部件声明的包 --部件mem_sequence,mem_string,以及协处理器分别在以下的包pkg_components中进行了说明 --每一个内存块中包括一个局部控制器,该局部控制器管理一个双向端口的RAM --其中26-36行是mem_sequence的 --73-83行是mem_string的 --实际上每一个双端RAM都将其自己封装为真正的RAM部件 LIBR
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--以下是部件声明的包 --部件mem_sequence,mem_string,以及协处理器分别在以下的包pkg_components中进行了说明 --每一个内存块中包括一个局部控制器,该局部控制器管理一个双向端口的RAM --其中26-36行是mem_sequence的 --73-83行是mem_string的 --实际上每一个双端RAM都将其自己封装为真正的RAM部件 LIBR
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--以下是部件声明的包 --部件mem_sequence,mem_string,以及协处理器分别在以下的包pkg_components中进行了说明 --每一个内存块中包括一个局部控制器,该局部控制器管理一个双向端口的RAM --其中26-36行是mem_sequence的 --73-83行是mem_string的 --实际上每一个双端RAM都将其自己封装为真正的RAM部件 LIBR
www.eeworm.com/read/39713/1134955

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--以下是部件声明的包 --部件mem_sequence,mem_string,以及协处理器分别在以下的包pkg_components中进行了说明 --每一个内存块中包括一个局部控制器,该局部控制器管理一个双向端口的RAM --其中26-36行是mem_sequence的 --73-83行是mem_string的 --实际上每一个双端RAM都将其自己封装为真正的RAM部件 LIBR