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技术资料 基于信道化谱增强的混合DS%2FFH扩频信号跳速估计
摘 要:该文针对混合DS/FH_BPSK 信号的参数估计问题,提出了一种结合谱增强与时频分析的精确跳速估计方法。该方法首先利用非线性变换获得携带跳速信息的参考信号,并利用循环谱预估计该信号的频率集;在此基础上,提出一种新的信道化谱增强系统。该系统所具有的外在线性内在非线性(ELIN)特性能够在防止信号失真的前提下有效 ...
技术资料 一种基于缩减伴随式集的QC-LDPC码级联译码算法
摘 要:该文在研究缩减伴随式集译码(RLSD)算法和规则QC-LDPC 码字结构的基础上,提出了一种新的针对中短QC-LDPC 码的BP-RLSD 级联译码算法。BP 算法译码失败时的软输出对数信息,作为RLSD 算法的输入。根据QC-LDPC 码所具有的循环置换结构,给出一种根据伴随式的重量来确定候选错误模式搜索空间的算法,同时给出一种“查表 ...
技术资料 基于TTL对单片机矩阵键盘算法的改进
文章针对目前单片机矩阵键盘模块的低实时性问题,设计了一种基于TTL去抖算法的单片机矩阵键盘算法。利用TTL去抖算法的间隔时间采样机制以及双循环扫描法的逐行逐列扫描机制,保证矩阵键盘模块响应按键的实时性以及识别按键的准确性。实验结果表明,该矩阵键盘算法识别按键准,响应时间低,能够识别组合键,通用性强。Aiming at th ...
技术资料 基于FPGA的控制器实现
本文将EDA技术与传统的控制理论相结合,研制了一种全新的基于FPGA技术之上的PID和模糊控制器,并加以优化后应用于FESTO液位控制系统上.该控制器基于PLD组成的系统,很自然地避开CPU的程序跑飞、死循环、复位不可靠等缺点,最大程度的提高设计效率和系统的可靠性;同时相对于传统的硬件控制器而言,它的高集成度所需较少外围电路, ...
技术资料 基于IEEE80216a的OFDM系统的FPGA实现
本文重点研究了该协议的WirelessMAN-OFDM空中接口部分,该部分建议采用OFDM调制解调方式。正交频分复用(OFDM,OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing),是一种高效的数据传输方式,通过串/并变换将高速数掘流分散到多个正交的子载波上传输,减少符号间干扰的影响,有较强的抗时延扩展能力,提高了系统的抗突发错误的 ...
技术资料 STM32的IAP方案
1、 STM32复位后,会从地址为0x8000004处取出复位中断向量的地址,并跳转执行复位中断服务程序,如图1中标号○1所示。
2、 复位中断服务程序执行的最终结果是跳转至C程序的main函数,如图1中标号○2所示,而main函数应该是一个死循环,是一个永不返回的函数。
3、 在main函数执行的过程中,发生了一个中断请求,此时STM32 ...
技术资料 21天学通C第5版
本书通过大量短小精悍的程序详细而全面地阐述了C++的基本概念和技术,包括管理输入/输出、循环和数组、面向对象编程、模板、使用标准模板库以及创建C++应用程序等。这些内容被组织成结构合理、联系紧密的章节,每章都可在1小时内阅读完毕;每章都提供了示例程序清单,并辅以示例输出和代码分析,以阐述该章介绍的主题。为加 ...
单片机编程 用定时器以间隔500MS在6位数码管上依次显示0、1、 2、3….C、D、E、F,重复。
#include<reg51.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uint i,j;
sbit dula=P2^6;
sbit wela=P2^7;
uchar code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,
0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,
0x39,0x5e,0x79,0x71};
void main()
{&nbsp;
j=0;
i=0;
&nbsp; &nbsp; TMOD=0X01;
TH0=(65536-50000)/256;
TL ...
技术资料 S32K1xx Series Reference Manual 用户手册--2029页
S32K1xx Series Reference Manual 用户手册--2029页&nbsp;Supports S32K116, S32K118, S32K142, S32K144, S32K146, and S32K148S32K是一款符合AEC-Q100规范、基于32位ARM Cortex-M4F和Cortex-M0+内核的MCU,适用于通用汽车和高可靠性工业应用。The S32K1xx product series further extends the highly scalable portfolio o ...
技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)&#39; le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...