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技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...
技术资料 4G移动通信技术权威指南：LTE与LTE-Advanced.4G LTE.LTE
PrefaceDuring the past years, there has been a quickly rising interest in radio access technologies for providingmobile as well as nomadic and fixed services for voice, video, and data. The difference indesign, implementation, and use between telecom and datacom technologies is also becoming moreblu ...
VIP专区 VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列（139）
VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列（139）资源包含以下内容：1. NIOS_II.2. 复杂模型机的设计与实现 组成原理的课程设计.3. 北京理工大学嵌入式系统的课件.4. 一個自己寫的簡單員工管理系統.5. 32位嵌入式系统实现.6. i2c总线的CPLD程序.7. mDOC在C语言环境下的驱动开发程序.8. 凯恩帝继电器版的PCB原文件。可以用 ...