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其他嵌入式/单片机内容 AT89C58单片机 外部SRAM测试+LCD显示 C语言
AT89C58单片机 外部SRAM测试+LCD显示 C语言
汇编语言 AT89C58单片机的外部SRAM检测数码管显示 汇编语言编写
AT89C58单片机的外部SRAM检测数码管显示 汇编语言编写
单片机开发 F020集成以太网接口核心模块SRAM例程源代码
F020集成以太网接口核心模块SRAM例程源代码
嵌入式/单片机编程 altera NIOS软核系统中构建外接SRAM接口的例子
altera NIOS软核系统中构建外接SRAM接口的例子
单片机开发 全新的铁电存储器的操作代码.铁电存储器是近几年开发出来的掉电保持存储器,具有SRAM的快速读写和EEPROM的保持特性,做工控,完全可替换EEPROM
全新的铁电存储器的操作代码.铁电存储器是近几年开发出来的掉电保持存储器,具有SRAM的快速读写和EEPROM的保持特性,做工控,完全可替换EEPROM
VHDL/FPGA/Verilog 使用Verilog写的SRAM的控制程序
使用Verilog写的SRAM的控制程序，仅供参考！
其他书籍 Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf
Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf
VHDL/FPGA/Verilog SRAM IDT71V416的VerilogHDL仿真模型源码文件
SRAM IDT71V416的VerilogHDL仿真模型源码文件
单片机开发 MCU为LPC2220,FLASH为39FV1601（地址0x80000000）,外部一个SRAM（地址0x81000000）
MCU为LPC2220,FLASH为39FV1601（地址0x80000000）,外部一个SRAM（地址0x81000000），程序用ADS编译，
用分散加载，程序0x80000000开始引导，FLASH操作在LPC2220内部RAM运行。
实现的作用为开机等待2秒左右若PC发来连接指令将进入BOOT部分，若超时则COPY应用程序到外部RAM开始运行。
抛砖引玉，可以认识到分散加载，BOOT的基 ...
VHDL/FPGA/Verilog Altera cyclone ep1c6对sram idt71系列的读写时序控制
Altera cyclone ep1c6对sram idt71系列的读写时序控制