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技术资料 LLC谐振拓扑原理 Full Bridge LLC ZVS SiC Converter
Full Bridge LLC ZVS SiC Converter；详细介绍 LLC谐振拓扑原理；使用 SIC MOSFET 作为功率元器件进行主电路设计。
技术资料 SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...
技术资料 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解
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技术资料 SiC功率半导体在电力设备上的应用
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技术资料 SiC二极管在电源中的应用
英飞凌SiC肖特基二极——适合各种供电条件的解决方案，英飞凌利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。 ...
技术资料 SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
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技术资料 SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景
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技术资料 SiC8051F_uVision C8051F系列Keil驱动
C8051F系列在Keil软件上的驱动库，可以搭配U-EC5等调试器使用，开发C8051F单片机必备！
技术资料 SiC8051F_uv3(KEILUV3驱动程序)
SiC8051F_uv3(KEILUV3驱动程序)
技术资料 SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
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