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mos管 的查询结果
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技术资料 8310 外围只需5个器件5V1.5A同步整流车充IC
8310是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/360 mΩ内阻，36V耐压/170mΩ内阻。该变换器可以在4.5V~36V的宽输入电压范围内输出1.5A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。同时8310集成了线补，内部补偿电路，可设置 ...
技术资料 功率MOSFET的驱动电路设计
文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程，MOS管各参数之间的联系，损耗计算及驱动电路设计，非常利于MOS管学习的启蒙.
技术资料 反激式开关电源设计--初级侧部分(下)
反激式开关电源设计的初级侧部分，包括变压器，电容，电感，mos管，RCD缓冲电路，参数计算寄详细设计
技术资料 protel99se原理图库+封装库电路设计protel库合集（包括2000多个封装文件）
protel99se原理图库+封装库电路设计protel库合集（包括2000多个封装文件），包括已经分类的原理图和PCB封装库文件，LIB后缀+DDB后缀工程封装库文件，包括电阻电容电感保险丝二极管三极管继电器插口接口器件SOP SOIC QFN TQFP SOJ SOL SO BGA 等各类常用芯片封装，各类开关，变压器，MOS管，晶振等，基本上包括了市面上的常 ...
技术资料 icircuit v1.11.2电路仿真软件
本软件为icircuit v1.11.2，适用于Android平台。icircuit是一款电路仿真设计程序，无论你是学生，计算机业余爱好者还是工程师，这都将是你最好的模拟工具。你可以使用它将任何支持的仿真元器件连接在一起，并各自设置其属性。软件介绍：iCircuit不像其他的模拟程序需要静止测量或者花费很长时间来设置参数。仅需简单的几步 ...
技术资料 MOS管的米勒效应-讲的很详细
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒 ...
技术资料 基于mppt的户用光伏水泵变频控制器的研制
当前世界能源短缺以及环境污染问题日益严重，这些问题迫使人们改变能源结构，寻找新的替代能源。可再生洁净能源的开发愈来愈受到重视，太阳能以其经济、清洁等优点倍受青睐，其开发利用技术亦得以迅速发展，而光伏水泵成为其中重要的研究领域。本文针对采用异步电机作为光伏水泵驱动电机的光伏水泵系统，详细介绍了推挽DC/D ...
技术资料 3V10A低压大电流反激式同步整流开关电源的研究与设计
近年来，随着电子技术的快速发展，使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率，但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式，在低压、大电流输出的电路中，应用传统二极管整流的电路，其整流的损耗比较大，工作效率比较低。 ...
技术资料 (LTSpice)以反相器为例学习仿真MOSFET
<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B）和源极（S）相连。mos和mos4能调整的属性不同，如图：本例中要设置mos管的W-0.18u，L=0.18u，选用nmos4和pmos4.<h3>布线<h3>如图1，其中，mos管Gate靠近的那一极好像是 Source，所以PMOS要 ...