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模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不 ...
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存储器技术 远古一个不要

比较快表白吧你就立刻就回家后bv那就一句话就hv一天就应该具备会计科
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