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:针对现场可编程门阵列(FPGA)芯片的特点,研究FPGA中双向端口I/O的设计,同时给出仿真初始化双向端口I/O的方法。采用这种双向端口的设计方法,选用Xilinx的Spartan2E芯片设计一个多通道图像信号处理系统。

一种基于CPLD和PC I总线的视频采集卡的设计方案

AD5933/AD5934的电流-电压（I-V）放大级还可能轻微增加信号链的不准确性。I-V转换级易受放大器的偏置电流、失调电压和CMRR影响。通过选择适当的外部分立放大器来执行I-V转换，用户可挑选一个具有低偏置电流和失调电压规格、出色CMRR的放大器，提高I-V转换的精度。该内部放大器随后可配置成一个简单的反相增益级。 ...

  Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total outp ...

抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研 ...

当你认为你已经掌握了PCB 走线的特征阻抗Z0，紧接着一份数据手册告诉你去设计一个特定的差分阻抗。令事情变得更困难的是，它说：“……因为两根走线之间的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的设计规则来得到一个大约80Ω的差分阻抗！”这的确让人感到困惑！这篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，还讨论了为什么是这样， ...

 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降 ...

6 GEMS压力变送器3000系列-超高压变送器 GEMS压力变送器3000的行业应用： 船舶、工程机械 产品特点： ■工作压力可高达10,000PSI ■高精度-在整个应用过程中,精度在±0.15%之内 ■高稳定性-长期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震动性能-采用了薄膜溅射式设计,取消了易破的连接线 GEMS压力变送器3000的性能参数 精度 0.1 ...

1.前言    模块使用之前应注意如下的警告和注意事项。不正确的应用可能导致电击，模块损坏或着火的危险。请仔细阅读如下警告和注意事项：1.1警告：I.   不要触摸散热器和外壳，他们可能温度很高。II.   不要触摸输入端子或打开外壳触摸内部器件，他们可能存在高温或高压造成烫伤或电击 ...

嵌入式控制系统的MCU一般都需要一个稳定的工作电压才能可靠工作。而设计者多习惯采用线性稳压器件（如78xx系列三端稳压器件）作为电压调节和稳压器件来将较高的直流电压转变MCU所需的工作电压。这种线性稳压电源的线性调整工作方式在工作中会大的“热损失”（其值为V压降×I负荷），其工作效率仅为30%～50%[1]。加之工作在 ...