搜索结果
找到约 35 项符合
Transistor 的查询结果
按分类筛选
技术资料 BTS50_datasheet
The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded
protective functions.
The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The design is based on
Smart SIPMOS chip on chip technology.
The BTS5016SDA has a current cont ...
笔记 音频放大器设计
This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction Transistor.
Use “Voltage Divider Biasing” to reduce the effects of varying β (= ic / ib) (by holding the Base voltage constant) 
Base Voltage (Vb) = Vcc * [R2 / (R1 + R2)] 
Use Coupling ...
技术资料 AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件
AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为121x149mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下：Library Component Count : 25Name          &n ...
技术资料 TMS320F28035 DSP设计的数字大功率数字化全桥变换器ALTIUM设计硬件原理图+PCB
基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name              &nbsp ...
技术资料 PW2202-2.0.pdf规格书下载
The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planarTechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system
技术资料 实用模拟电路设计 (Marc T. Thompson)
本书是 Marc Thompson 博士 20 年模拟电路设计和教学经验的总结，讲述了模拟电路与系统设计中常用的直观分析方法。本书提出了“模拟电路直观方法学”，力图帮助学生和设计人员摆脱复杂的理论推导与计算，充分利用直观知识来应对模拟电路工程设计挑战。全书共分为 16 章，内容涵盖了二极管、晶体管、放大器、滤波器、反馈系 ...
技术资料 ILI9341_液晶屏中文手册
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)即薄膜晶体管液晶显示器，是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的的一种技术。CRT显示器的工作原理是通电后灯丝发热，阴极被激发后发射出电子流，电子流受到高电压的金属层的加速，经过透镜聚焦形成极细的电子束打在荧光屏上，使荧光粉发光显示图像。LCD显示器需要来 ...
技术资料 三菱第五代IGBT应用手册
三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅 ...
技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...