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技术资料 继电器控制电路示意图
继电器驱动电流一般需要20-40mA或更大才能使继电器吸合，继电器的线圈电阻100-200欧姆，因此必须进行扩流，即驱动。 用NPN型三极管驱动继电器的电路图，图中阴影部分为继电器电路，继电器线圈作为集电极负载而接到集电极和正电源之间。当输入为0V时，三极管截止，继电器线圈无电流流过，则继电器释放（OFF）；相反，当 ...
技术资料 特高压带并联电抗器线路的行波差动保护
摘要：传统的行波差动保护无法应用于带并联电抗器特/超高压输电线路，为此给出了一种新的行波差流表达式，并据此提出一种具有轻微比例制动特性的行波差动保护实用方案。该方案能够有效地躲过各种运行工况和区外故障引起的暂态不平衡差流，同时在区内高阻故障时能够保持很高的灵敏度。理论及EMTP仿真计算表明：该方法灵敏度 ...
技术资料 基于MATLAB的永磁风力发电机动态仿真.rar
作为世界上发展最快的可再生能源，风能受到了世界各国的关注。随着风机数量的增加，研究电网故障时风力发电机的动态响应特性越来越重要。 本文以“3.2MW永磁风力发电机系统分析”为工程背景，旨在研究3.2MW永磁风力发电机及其系统在各种正常和非正常工况下的动态性能，分析变流系统和控制方法对电机性能的影响，为电机的优 ...
单片机编程 基于C8051F020的红外遥控电风扇设计
摘 要：给出了一种采用C8O51F02O单片机实现红外遥控电风扇的系统方案。将红外接收模块、温度采集电路、实时时钟电路、报警电路和风速控制电路置于电风扇中，通过C8051F020单片机实现电风扇风速控制、定时功能和运行模式切换功能，采用4×4键盘或者遥控器完成数据和控制指令的输入，并通过TS1602 LCD 完成基本的状态 ...
Linux/Unix编程 width = gdk_pixbuf_animation_get_width(ani) height = gdk_pixbuf_animation_get_height(ani) cu
width = gdk_pixbuf_animation_get_width(ani)
height = gdk_pixbuf_animation_get_height(ani)
current_frame_list = gdk_pixbuf_animation_get_frames(ani)
pixmap = gdk_pixmap_new(w->window, width, height, -1)
clean_pixmap = gdk_pixmap_new(w->window, width, height, -1)
if (w->style->bg_pixmap ...
电子元器件应用 LED升压器 QX5305 中文资料
QX5305 是一款高效率，稳定可靠的高亮度LED灯驱动控制IC，内置高精度比较器，off-time控制电路，恒流驱动控制电路等，特别适合大功率，多个高亮度LED灯串恒流驱动。 QX5305采用固定off-time控制工作方式，其工作频率可高达2.5MHz，可使外部电感和滤波电容、体积减少，效率提高。 在DIM脚加PWM信号，可调节LED灯的亮度。 通 ...
电子书籍 龙芯处理器主要包括三个系列。龙芯1号处理器及其IP系列主要面向嵌入式应用
龙芯处理器主要包括三个系列。龙芯1号处理器及其IP系列主要面向嵌入式应用，龙芯2号超标量处理器及其IP系列主要面向桌面应用，龙芯3号多核处理器系列主要面向服务器和高性能机应用。根据应用的需要，其中部分龙芯2号也可以面向部分高端嵌入式应用，部分低端龙芯3号也可以面向部分桌面应用。以后上述三个系列将并行地发展。
...
技术资料 充电管理IC的设计资料
充电管理IC设计资料，CN3051A/CN3052A是可以对单节锂离子或者锂聚合物可充电电池进行恒流/恒压充电的充电器电路。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CN3051A和CN3052A只需要极少的外围元器件，并且符合USB总线技术规范，非常适用于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较 ...
技术资料 LZC811c 圆形100W防雷 驱动方案
LZC811C防雷版（100W）
LZC811C是美国菱奇（LozenTechnologyInc）公司推出一款全新大功率隔离LED照明电源驱动IC,功率可达 100W内，最大可以做到100W，高PFC,高性价比，我司有详细的PCB资料和BOM清单，可提供DEMO板和样品测 试。
主要特点：
1.集成PFC,功率因数很高, 大部分情况下效率在90%以上, PFC 0.95到0.99,
2.原边控 ...
技术资料 IGBT模块驱动及保护技术.pdf
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流 ...