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TML-P 的查询结果
技术资料 音响功放测试方法
說明：1，测试交流电源（Test AC Power Supply）：A.中国（China）：AC 220V+/-2%50Hz+/-2%B.美国（United States of America）：AC 120V+/-2%60Hz+/-2%。C.英国（Britain）：AC 240V+/-2%50Hz+/-2%D.欧洲（Europe）：AC 230V+/-2%50Hz+/-2%E.日本（Japan）：AC 100V+/-2%60Hz+/-2%F.墨西哥（Mexico）：AC 127V+/-2%60Hz+/- ...
技术资料 压电陶瓷在超声波电机中的应用研究.
超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压 ...
技术资料 GPS接收机射频前端电路原理与设计.
[摘要]在天线单元设计中采用了高频、低噪声放大器，以减弱天线热噪声及前面几级单元电路对接收机性能的影响；基于超外差式电路结构、镜频抑制和信道选择原理，选用G P2010芯片实现了射频单元的三级变频方案，并介绍了高稳定度本振荡信号的合成和采样量化器的工作原理，得到了导航电文相关提取所需要的二进制数字中频卫星信 ...
技术资料 基于单片机控制和LED数码管显示的数字钟电子钟的设计
1、本课题任务如下：设计一个具有特定功能的电子钟。该电子钟上电或按键复位后能自动显示系统提示符"P."，进入时钟准备状态；第一次按电子钟启动/调整键，电子钟从0时0分0秒开始运行，进入时钟运行状态；再次按电子钟启动/调整键，则电子钟进入时钟调整状态，此时可利用各调整键调整时间，调整结束后可按启动/调整键再次进 ...
技术资料 600VFS结构IGBT的设计
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所 ...
技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...
技术资料 S32K148 T-BOX快速入门
S32K148 T-BOX快速入门CONTENTS: Get to know the S32K148 T-BOX Reference Design Board (RDB) S32K148 T-BOX RDB out-of-the-box setup Creating a new S32DS project for the S32K1xx MCU S32DS debugging basics Create a P&E debug configuration
技术资料 wireshark抓包分析TCP和UDP
1，使用wireshark获取完整的UDP报文打开wireshark，设置监听网卡后，使用google chrome浏览器访问我腾讯微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe rinfo.icon？ptlang-2052&pgv-ref-im.perinfo.perinfo.icon，抓得的UDP报文如图1所示。分析以上的报文内容，UDP作为一种 ...
技术资料 大功率器件IGBT散热分析
0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适 ...
技术资料 怎样判断IGBT、MOS管的好坏
怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则 ...