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SiC 的查询结果
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论文 Full-Duplex+Small+Cells
The recent developments in full duplex (FD) commu-
nication promise doubling the capacity of cellular networks using
self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells
with device-to-device (D2D) communication links could achieve
the expected capacity of the future cellular networks (5G ...
论文 GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor
technology, widely diffused in the LED optoelectronics
industry. For about 10 years, GaN devices have also been
developed for RF wireless applications where they can
replace Silicon transistors in some selected systems. That
incursion in the RF field ha ...
技术资料 智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603
电动汽车、SiC功率管发展趋势
技术资料 基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件
基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为29x30mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下：Library Component Count : 8Name                ...
技术资料 BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件 2层板设计 大小为66 7
BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为66*76mm, 包括完整的原理图和PCB工程文件，可以做为你的设计参考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name                Description---------------------------------------------------- ...
技术资料 你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率 ...
技术资料 20kW全桥谐振LLC转换器
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口 ...