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技术资料 IGBT模块驱动及保护技术.pdf
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流 ...
技术资料 基于51单片机的篮球计分器设计
       
       
       单片机课程设计            篮球记分器  LANE STUDIO CONTENT  1 2 3 4 5 系统功能 课题运用的知识点 系统原理的设计 硬件部分的设计 软件部分设计 1      系统功能 &nb ...
汇编语言 凭借它在手机技术领域的地位、在射频半导体工艺方面的广泛知识
凭借它在手机技术领域的地位、在射频半导体工艺方面的广泛知识，飞思卡尔提供了符合IEEE 802.15.4标准的MC13192射频数据调制解调器。这种功能丰富的双向2.4GHz收发器带有一个数据调制解调器，可在ZigBee&#8482 技术应用中使用。它还具有一个优化的数字核心，有助于降低MCU处理功率，缩短执行周期。4个定时比较器使用一个性 ...
PCB相关 PCB设计经典资料
本文将接续介绍电源与功率电路基板，以及数字电路基板导线设计。宽带与高频电路基板导线设计a.输入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器电路基板图26 是由FET 输入的高速OP 增幅器OPA656 构成的高输入阻抗OP 增幅电路，它的gain取决于R1、R2，本电路图的电路定数为2 倍。此外为改善平滑性特别追加设置可以加大噪讯ga ...
可编程逻辑 PCB设计经典资料
本文将接续介绍电源与功率电路基板，以及数字电路基板导线设计。宽带与高频电路基板导线设计a.输入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器电路基板图26 是由FET 输入的高速OP 增幅器OPA656 构成的高输入阻抗OP 增幅电路，它的gain取决于R1、R2，本电路图的电路定数为2 倍。此外为改善平滑性特别追加设置可以加大噪讯ga ...
技术资料 升压型电源管理电路内部ldo设计
文章首先阐述了整个方案的工作原理，给出LDO设计的指标要求；其次，依据系统方案的指标要求和制造1艺约束，实现包含误差放大器、基准源和保护电路等了模块在内的电压调整器：此外，文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载"的问题；最后，给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以 ...
技术资料 升压型电源管理电路的内部LDO设计
本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目，在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下，论文采用了一种开关电源与低压降（LDO）线性电压调节器结合应用的集成方案，即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求，本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。 ...
电源技术 电源滤波设计精华
找一块电源仔细看一下，在电源部分中，跨接L-N之间的小方块（单位是μF）电容就是X电容，通常在是电源入口的第一个；同样，在电源部分的跨接L-PE和N-PE之间的蓝色的安规电容（单位pF）就是Y电容，通常是成对出现的。
 
或者你可以形象的看，X电容具有2个输入端，2个输出端，很象X；Y电容具有一个输入端，一个输出端以 ...
单片机编程 同地弹现象的分析和讲解
地弹的形成：芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源，同时，地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。
简单的构造如上图的一个小“场景”，芯片A为输出芯片，芯片B为接收芯片，输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输入单元简单 ...
学术论文 高速低压低功耗CMOSBiCMOS运算放大器设计.rar
近年来，以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用，因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中，运算放大器是最基本的电路，所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中，必须考虑电路 ...