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教程资料 使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n
8051工作于11.0592MHZ,RAM扩展为128KB的628128,FlashRom扩展为128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4个区(Bank) 地址分配为0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8个区(Bank) 地址分配为0x8000-0xBFFF\r\n 为了使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg ...
教程资料 自己现在用的CPLD下载线原理图用74HC244芯片\r\n
自己现在用的CPLD下载线，用74HC244芯片\r\n要注意设置下载模式
教程资料 <快学易用Protel99se>\r\n
\r\n经典的Protel99se入门教程，孙辉著北京邮电大学出版社出版
模拟电子 MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失
用于定量表示ADC动态性能的常用指标有六个，分别是：SINAD(信纳比)、ENOB(有效位 数)、SNR(信噪比)、THD(总谐波失真)、THD + N(总谐波失真加噪声)和SFDR(无杂散动态 范围)
模拟电子 基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
模拟电子 采用归零法的N进制计数器原理
计数器是一种重要的时序逻辑电路，广泛应用于各类数字系统中。介绍以集成计数器74LS161和74LS160为基础，用归零法设计N进制计数器的原理与步骤。用此方法设计了3种36进制计数器，并用Multisim10软件进行仿真。计算机仿真结果表明设计的计数器实现了36进制计数的功能。基于集成计数器的N进制计数器设计方法简单、可行，运用M ...
模拟电子 p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
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模拟电子 DAC技术用语 (D/A Converters Defini
Differential Nonlinearity: Ideally, any two adjacent digitalcodes correspond to output analog voltages that are exactlyone LSB apart. Differential non-linearity is a measure of theworst case deviation from the ideal 1 LSB step. For example,a DAC with a 1.5 LSB output change for a 1 LSB digital codec ...
电源技术 N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
&nbsp;N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降 ...
电源技术 100-15V TO 12V DCDC 原理图 PCB BOM表
高的工作电压高达100V N双N沟道MOSFET同步驱动 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture t ...