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MOSFET 的查询结果
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技术资料 超声波用开关电源设计全套电路图纸+1.2万字说明书
  采用56F803型DSP作为控制器。目前DSP已非常普遍，采用56F803型DSP作为控制电路的核心处理器．它内置2 KB SRAM，31．5 KB FLASH，同时，其40 MHz的CPU时钟频率比其他单片机具有更强的处理能力。6路PWM信号可以实现高频逆变电路开关管MOSFET的移相控制。12位A／D转换器采集可以实现电压和电流采样并满足采样数据精度的 ...
技术资料 基于单片机的太阳能LED路灯控制器设计
摘要：本文介绍了一种基于单片机的太阳能控制器，系统使用STCl5F2K61S2单片机作为控制电路的核心器件。此设计使用PWM(脉宽调制)控制技术和控制MOSFET管开启和关闭来控制蓄电池充放电。实验结果表明，该控制器性能可靠，可以监视太阳能电池和蓄电池状态，实现控制蓄电池最优充放电，达到延长蓄电池的使用寿命的目的。 ...
技术资料 你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率 ...
技术资料 20kW全桥谐振LLC转换器
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口 ...
技术资料 电子水泵参考系统（EWP）
电子水泵参考系统（EWP）内置用于无传感器BLDC的电机控制逻辑；内置用于驱动MOSFET的预驱。内置电机控制逻辑和预驱无传感器BLDC单片解决方案内置多重保护：过流、过温、高压、低压、堵转特性应用领域● 内置用于无传感器BLDC 的电机控制逻辑● 采用铜连接的低内阻的 MOSFET● 采用车载级主控MCU● PWM控制输入● ...
技术资料 宽输出范围非隔离交直流转换芯片--AP8003 规格书
AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。 ...
技术资料 DRV8320 DRV832X系列数据手册
DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器 ...
技术资料 大功率正弦超声波电源
鉴于超磁致伸缩材料作换能器的大功率超声波发生器需正弦激励方可达到最高效率，高频大功率超声正弦电源已构成超声波应用瓶颈。就国内而言，大功率正弦波电源局限于400Hz以下低频，高频逆变电源也仅为方波，无法满足超声波发生器的正弦激励需求。本课题针对电源逆变开关管工作频率高、开关损耗大、输出功率大等特点，从基本 ...
技术资料 ST MOS管选型表 ST mosfet selection list
ST MOS管选型表内含产品型号规格目录、PN构成表、封装清单和ST公司联系购买二维码
技术资料 LLC谐振变换器仿真模型
该变换器由开关电桥(半桥MOSFET)、LLC谐振电路、全桥整流器和输出滤波器(Co)组成。谐振电路由变压器的一次漏感(Llkp)、二次漏感(Llks)、磁化电感(Lm)和电容Cr组成