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MOSFET 的查询结果
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技术资料 BTS50_datasheet
The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded
protective functions.
The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The design is based on
Smart SIPMOS chip on chip technology.
The BTS5016SDA has a current cont ...
技术资料 L9945
AEC-Q100 qualified
• 12 V and 24 V battery systems compliance
• 3.3 V and 5 V logic compatible I/O
• 8-channel configurable MOSFET pre-driver
– High-side (N-channel and P-channel MOS)
– Low-side (N-channel MOS)
– H-bridge (up to 2 H-bridge)
– Peak & Hold (2 loads)
• Operating battery supply ...
技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
技术资料 基于TMS320F2812 光伏并网发电模拟装置PROTEL设计原理图+PCB+软件源码+WORD论
基于TMS320F2812 光伏并网发电模拟装置PROTEL设计原理图+PCB+软件源码+WORD论文文档,硬件采用2层板设计，PROTEL99SE 设计的工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的学习设计参考。 摘要：本文实现了一个基于TMS320F2812 DSP芯片的光伏并网发电模拟装置，采用直流稳压源和滑动变阻器来模拟光伏电池。通过TMS ...
技术资料 SC3633
Wide 2.2V to 6V Input Voltage Range
0.20V FB adjustable LED drive current
Directly drive 9 Series 1W LED at
VIN>=6V
Fixed 800KHz Switching Frequency
Max. 3A Switching Current Capability
Up to 92% efficiency
Excellent line and load regulation
EN PIN TTL shutdown capabilit ...
技术资料 功率半导体器件———原理 特性和可靠性
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容 ...
技术资料 AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件 2层板设计 大小为100
AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为100*55mm,   ALTIUM设计的原理图+PCB文件，可以做为你的学习设计参考。主要器件型号如下：Library Component Count : 24Name                Description--------------------------------------- ...
技术资料 SH367309参考手册
SH367309是5-16串锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。        SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。    ...
技术资料 准谐振反激式电源设计之探讨.pdf
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振(Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET 的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源的EMI 特性，允许设计人员减少使用滤波器的数目，因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施， ...
技术资料 开关电源设计资料.pdf
，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件 ...