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技术教程 MOS集成运算放大器的版图设计.rar

MOS集成运算放大器的版图设计 集成电路设计综合实验指导书
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学术论文 MOS运算放大器-原理、设计与应用

MOS运算放大器-原理、设计与应用.MOS运算放大器-原理、设计与应用
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技术书籍 详细讲解MOS管工作原理

详细讲解 MOS管工作原理 新手上路 一看就懂
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技术书籍 实用晶闸管电路大全(SCR,MOS,GTR,IGBT应用)

·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
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模拟电子 MOS开关管参数手册

ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MI ...
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模拟电子 mos管门级驱动电阻计算

mos管门级驱动电阻计算
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模拟电子 MOS管应用笔记

MOS管应用笔记
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模拟电子 基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
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模拟电子 MOS管驱动电路总结

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。
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模拟电子 MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spe ...
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