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MOS 的查询结果
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技术资料 SP1223F内置MOS同步整流5V3.4A方案
SP1596是一款ESOP8封装DC-DC升压控制器，内建10A低内阻MOSFET，保证了转换器的高效率。
联系人：唐云先生（销售工程）
手机：13530452646(微信同号)
座机：0755-33653783 （直线）
Q Q: 2944353362
技术资料 L9945
AEC-Q100 qualified
• 12 V and 24 V battery systems compliance
• 3.3 V and 5 V logic compatible I/O
• 8-channel configurable MOSFET pre-driver
– High-side (N-channel and P-channel MOS)
– Low-side (N-channel MOS)
– H-bridge (up to 2 H-bridge)
– Peak & Hold (2 loads)
• Operating battery supply ...
技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
技术资料 74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD STM32F207VCT6 AD集成封装库
74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD  STM32F207VCT6 AD集成封装库，原理图库器件型号列表：Library Component Count : 53Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1N4148  ...
技术资料 功率MOSFET的驱动电路设计
文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程，MOS管各参数之间的联系，损耗计算及驱动电路设计，非常利于MOS管学习的启蒙.
技术资料 反激式开关电源设计--初级侧部分(下)
反激式开关电源设计的初级侧部分，包括变压器，电容，电感，mos管，RCD缓冲电路，参数计算寄详细设计
技术资料 STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料: 器件手册： AM
STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料:AD集成封装库列表：Library Component Count : 54Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256  &nbsp ...
技术资料 protel99se原理图库+封装库电路设计protel库合集（包括2000多个封装文件）
protel99se原理图库+封装库电路设计protel库合集（包括2000多个封装文件），包括已经分类的原理图和PCB封装库文件，LIB后缀+DDB后缀工程封装库文件，包括电阻电容电感保险丝二极管三极管继电器插口接口器件SOP SOIC QFN TQFP SOJ SOL SO BGA 等各类常用芯片封装，各类开关，变压器，MOS管，晶振等，基本上包括了市面上的常 ...
技术资料 英飞凌MOSFET参数理解
主要对MOS参数对比翻译和讲解各个参数的含义，以及对这些参数的使用和计算