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共 205 条结果

模拟电子 MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spe ...
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元器件 三极管,MOS管 样本

三极管,MOS管 样本
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应用电路 实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
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晶闸管,可控硅 实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
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实用电子技术 MOS运算放大器-原理、设计与应用

MOS运算放大器-原理、设计与应用
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技术书籍 三极管,MOS管-样本-150M.rar

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技术书籍 MOS运算放大器-原理、设计与应用-235页-5.0M.pdf

专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G MOS运算放大器-原理、设计与应用-235页-5.0M.pdf
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技术书籍 实用晶闸管电路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT应用-481页-11.3M.pdf

晶闸管-可控硅专辑-14册-131M 实用晶闸管电路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT应用-481页-11.3M.pdf
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技术书籍 三极管-MOS管-样本-150M.zip

专辑类-元器件样本专辑-116册-3.03G 三极管-MOS管-样本-150M.zip
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技术书籍 mos运算放大器原理设计应用李联.rar

mos运算放大器——原理设计应用，李联，复旦大学，详细论述了CMOS即成运算放大器的工作原理和设计方法
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