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教程资料 protel 99se 使用技巧以及常见问题解决方法
protel 99se 使用技巧以及常见问题解决方法:里面有一些protel 99se 特别技巧,还有我们经常遇到的一些问题!如何使一条走线至两个不同位置零件的距离相同?
您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的规则中来新增规则设定,最后再用Tools/EqualizeNet Lengths 来等长化即可。
Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的 ...
教程资料 Protel使用中的一些问题和解答
Q01、如何使一条走线至两个不同位置零件的距离相同? 
您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的规则中来新增规则设定,最
后再用Tools/EqualizeNet Lengths 来等长化即可。
 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的属性,如何决定是Passive, Input, I/O, Hi-
Z, ...
allegro Verilog编码中的非阻塞性赋值
 
One of the most misunderstood constructs in the Verilog language is the nonblockingassignment. Even very experienced Verilog designers do not fully understand how nonblockingassignments are scheduled in an IEEE compliant Verilog simulator and do not understand whenand why nonblocking assi ...
模拟电子 MOS开关管参数手册
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MI ...
模拟电子 200mV~10V/0-24V电平单输入单输出模拟信号隔离变送器
转速传感器信号隔离变送器,正弦波整形 主要特性: >> 转速传感器信号直接输入,整形调理方波信号 >> 200mV峰值微弱信号的放大与整形 >> 正弦波、锯齿波信号输入,方波信号输出 >> 不改变原波形频率,响应速度快 >> 电源、信号:输入/输出 3000VDC三隔离 >> 供电电源:5V、12V、15V或24V直流单电源供电 >> 低成本、小体积,使 ...
模拟电子 AD9880色彩空间转换器用户指南
AD9880中的色彩空间转换矩阵(CSC)是一个3 × 3矩阵,可提供矩阵中所有系数下的完全编程能力。每个系数均为12位宽,以保持信号完整性。CSC可在高达150 MHz的速度下运行,在60 Hz速率时支持1080 p。CSC支持“任意至任意”色彩空间,支持RGB、YUV、YCrCb等格式。
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模拟电子 CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
模拟电子 COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:
对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...
模拟电子 4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(≥1 mω),较强的带负载 ...
模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。
但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...