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“闪存(Flash)”这一名称，是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益，军用装备都包含机密信息，一旦即将落入敌手，就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似，Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层 ...

https://www.eeworm.com/dl/542/180838.html

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VHDL/FPGA/Verilog 利用picoblaze微控制器对Intel flash进行控制

利用picoblaze微控制器对Intel flash进行控制，实现了flash的读写，擦除等基本操作

https://www.eeworm.com/dl/663/190347.html

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VHDL/FPGA/Verilog 利用Picoblaze实现对SPI flash的控制

利用Picoblaze实现对SPI flash的控制，实现读写，擦除操作等基本功能

https://www.eeworm.com/dl/663/190349.html

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通讯编程文档  M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件

M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件，采用2.7V-3.6V单电源供电，兼容标准的SPI接口，器件在上升沿接收数据，在下降沿发送数据，接口时钟最高为40MHz，支持最大256bytes的快速页面编程操作、快速的块擦除（512Kbit）操作和快速的整体擦除操作具有操作暂停和硬件写保护功能 ...

https://www.eeworm.com/dl/646/192898.html

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单片机开发  M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件

M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件，采用2.7V-3.6V单电源供电，兼容标准的SPI接口，器件在上升沿接收数据，在下降沿发送数据，接口时钟最高为40MHz，支持最大256bytes的快速页面编程操作、快速的块擦除（512Kbit）操作和快速的整体擦除（8MHz）操作；具有操作暂停和硬件写保护功能。 ...

https://www.eeworm.com/dl/648/192899.html

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uCOS RTOS版本：uCOSII V2.83 OSView版本：uCOS_View 1.10 开发环境：KEIL 编译器：ADS1.2 开发板：EasyARM2200　内部FLASH运行

RTOS版本：uCOSII V2.83 OSView版本：uCOS_View 1.10 开发环境：KEIL 编译器：ADS1.2 开发板：EasyARM2200　内部FLASH运行，Bank0=ExFlash Bank1=ExRAM 调试口：Uart0　57600bps 目前在OS_CPU_A.s里的OS_CPU_SR_Save　OS_CPU_SR_Restore函数没起作用，功能是开关中断，用仿真器看时会发现根本没关中断，解决办法是切换模式 ...

https://www.eeworm.com/dl/649/196305.html

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单片机开发  这是我在单片机c8051f020下写的SST 29LE020这款flash的驱动程序

这是我在单片机c8051f020下写的SST 29LE020这款flash的驱动程序，包括读、写和插除操作。

https://www.eeworm.com/dl/648/209955.html

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单片机开发  SST39VF160操作子程序

SST39VF160操作子程序，FLASH底层驱动源代码，加以修改可以移植到别的上。

https://www.eeworm.com/dl/648/212754.html

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嵌入式/单片机编程  LPC2200系列ARM芯片的FLASH功能测试,调用IAP服务程序

LPC2200系列ARM芯片的FLASH功能测试,调用IAP服务程序，完成FLASH编程操作,上位机使用EASYARM软件 Ads1.2。

https://www.eeworm.com/dl/647/216429.html

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程序针对mcu:cypress 68013,flash:samsung k9f1g08u,MCU运行于48M,对于其它频率,一些时序常数可能需要修改.程序实现了FLASH的CLEAR,WRITE,READ基本操作.

https://www.eeworm.com/dl/687/218631.html

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