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技术书籍 CMOS模拟集成电路设计-艾伦

CMOS模拟集成电路设计,IC必备参考书
https://www.eeworm.com/dl/537/17018.html
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教程资料 可以在里面修改协议.主要是cmos---fpga--usb(68013a)中除68013a部分的程序

可以在里面修改协议.主要是cmos---fpga--usb(68013a)中除68013a部分的程序
https://www.eeworm.com/dl/fpga/doc/18154.html
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模拟电子 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20305.html
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模拟电子 CMOS版图设计技巧之一

CMOS版图设计技巧之一
https://www.eeworm.com/dl/571/20505.html
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模拟电子 模拟CMOS集成电路设计

模拟CMOS集成电路设计
https://www.eeworm.com/dl/571/20822.html
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模拟电子 为什么我的CMOS逻辑电路烧起来了

Abstract: What can be simpler than designing with CMOS and BiCMOS? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers! ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20950.html
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模拟电子 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21020.html
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模拟电子 CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CS ...
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模拟电子 CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路

采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。 ...
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模拟电子 CMOS和TTL电路探讨

通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度- ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21292.html
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