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CMOS工艺 的查询结果
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技术教程 TTL门电路与CMOS门电路的传输电气比较
关于如何理解门电路的传输电气特性的理论分析，对于更好的使用门电路做个技术参考
教程资料 计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型
无沦是用离散逻辑、可编程逻辑，还是用全定制硅器件实现的任何数字设计，为了成功地操\r\n作，可靠的时钟是非常关键的。设计不良的时钟在极限的温度、电压或制造工艺的偏差情况下将\r\n导致错误的行为，并且调试困难、花销很大。 在设计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型。时钟可\r\n分为如下四种类型：全局时钟、门控时钟、 ...
模拟电子 CMOS与非门振荡器原理及应用_一_
简单振荡器
模拟电子 BF3008 design guide
比亚迪VGA CMOS SENSOR
模拟电子 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
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模拟电子 如何选择正确的CMOS模拟开关
Abstract: With the large number of analog switches on the market today, there are many performance criteria for a product designer to consider. This application note reviews the basic construction of
模拟电子 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm ...
模拟电子 2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终 ...
模拟电子 高集成数字RF调制器解决方案
Abstract: A digital RF modulator, an integrated solution that satisfies stringent DOCSIS RF-performancerequirements, takes advantage of modern technologies like high-performance wideband digital-to-analogconversion and CMOS technology scaling. This application note describes the concept and advant ...
模拟电子 拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)
拉扎维的前十章课件，初学者看看