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模拟电子 CMOS器件抗静电措施的研究

由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。 ...
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技术资料 SN74174高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

SN74174高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册
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技术资料 74VHC573高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74VCXH245高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74LVX574高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74LS367高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74LS352高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74LS283高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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技术资料 74LS279高速的硅栅CMOS器件芯片学习参考手册

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