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CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看
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基于TSMC 0.18-μm CMOS 工艺，根据传统电流源结构，设计了一种新颖启动方式的CMOS 低功耗电流源。启动电路仅采用一个耗尽型MOS 管，使电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为零。这种
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技术资料 期刊论文：CMOS图像传感器的性能及应用发展
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