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技术资料 saber学习心得

一般调用元件的话,使用PartGallery的search功能都能找到相应的器件。注意MaST IOLAMS这里有两种不同语言描述的元件,一般不能同时在一张原理图中使用。在PartGallery中browse目录按照大的应用领域和市场领域划分。比喻Elctrical目录下包含一些电气行业相关的模型。1.翻转元件:选中该元件(可选多个),按R键,可实现90度 ...
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技术资料 烧写APM板的bootloader

所需工具材料1、一个 AVRusbasp编程器以及相应的烧写软件,推荐 progisp1.722、AVR的USB自编程软件Fip,下载链接htt/www.atmel.com/tools/FLIP.aspx电脑中如果已经装过java,选择小的那个,如果没有,选择大的那个含jave的进行下载3、准备三个hex文件,分别是 Atmega2560的 bootloader文件、32u2的 bootloader文件和32u2的ppm程序 ...
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VIP专区 VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列(100)

VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列(100)资源包含以下内容:1. 主要介绍了如何使用E8仿真器在以Renesas芯片为MCU的开发板上进行仿真调试。 第1 章 概要 第2 章 E8 仿真器功能 第3 章 使用前的准备 第4 章 调试的准备 第5 章 调试 .2. 嵌入式JAVA虚拟机机制研究---论文.3. 该程序用于单片机的控制类.4. 这里有2002 ...
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学术论文 基于DSP控制电梯专用变频器研究.rar

本文以电机控制DSPTMS320LF2407为核心,结合相关外围电路,运用新型SVPWM控制方法,设计电梯专用变频器。为了达到电梯专用变频器大转矩、高性能的要求,在硬件上提高系统的实时性、抗干扰性和高精度性;在软件上采用新型SVPWM控制方法,以消除死区的负面影响,另外单神经元PID控制器应用于速度环,对速度的调节作用有明显改 ...
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学术论文 多点无线扩频通信系统

扩频通信具有较强的抗干扰、抗侦查和抗衰落能力,可以实现码分多址,目前广泛应用于通信抗干扰、卫星通信、导航、保密通信、测距和定位等各个方面。另外,随着集成电路技术的飞速发展,数字接收机和软件无线电也已经是现代通信研究的一个热点。 本文正是顺应这种发展趋势,在某工程项目的通信分系统中建立CDMA直接序列扩频通信系 ...
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技术书籍 LM324运算放大器应用电路全集

LM324是四运放集成电路,它采用14脚双列直插塑料封装,外形如图所示。它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器, 除电源共用外,四组运放相互独立。每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示,它有5个引出脚,其中“+”、“-”为两个信号输入端,“V+”、“V-”为正、负电源端,“Vo”为输出端。两个信号输入端中,Vi-(-)为反相 ...
https://www.eeworm.com/dl/537/13221.html
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CAM CAM350软件的学习笔记

CAM350软件的学习笔记目录1. CAM3501. 一. Gerber知识2. 二.CAM3503. 三.CAM350操作4. 附录Gerber知识l Gerber 文件的格式包括:¡ RS-274-X (常用)¡ RS-274-D (常用)¡ RS-274¡ Fire 9000¡ Mda 9000¡ Barco DPFl 标准的gerber file 格式可分为RS-274 与RS-274X 两种,其不同在于:& ...
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模拟电子 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕 ...
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PCB相关 阻抗匹配

阻抗匹配  阻抗匹配(Impedance matching)是微波电子学里的一部分,主要用于传输线上,来达至所有高频的微波信号皆能传至负载点的目的,不会有信号反射回来源点,从而提升能源效益。  大体上,阻抗匹配有两种,一种是透过改变阻抗力(lumped-circuit matching),另一种则是调整传输线的波长(transmission line matchi ...
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电源技术 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 ...
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