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控制信号由接收机的通道进入信号调制芯片,获得直流偏置电压。它内部有一个基准电路,产生周期为20ms,宽度为1.5ms的基准信号,将获得的直流偏置电压与电位器的电压比较,获得电压差输出。最后,电压差的正负输出到电机驱动芯片决定电机的正反转。当电机转速一定时,通过级联减速齿轮带动电位器旋转,使得电压差为0,电机停 ...
技术资料 CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET数据手册170个芯片技术手册资料合集: 4000
CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET数据手册170个芯片技术手册资料合集:4000 CMOS 3输入双或非门1反相器.pdf4001 CMOS 四2输入或非门.pdf4002 CMOS 双4输入或非门.pdf4006 CMOS 18级静态移位寄存器.pdf4007 CMOS 双互补对加反相器.pdf4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器.pdf4009 CMOS 六缓冲器-转换器(反相).pdf4010 CMOS ...
技术资料 一种基于单片机的变频电源设计
电源正朝着高效率,高稳定度,高功率密度,低污染,模块化发展。为了满足输出电压和频率可变的逆变电源的基本指标,调制方式上各种新颖的调制技术不断涌现,控制上各种适合于不同要求的逆变器的控制方案被提了出来。本设计是基于SPWM逆变技术,将由单片机产生的SPWM波输出作为绝缘栅双极晶闸管的驱动信号,最后通过低通滤波,从而在 ...
技术资料 基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路
摘要:以N沟道増强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路,满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词:N沟道增强型场效应管;H桥;PWM控制;电荷泵;功率放大;直流电机1引言长期以来,直流电机以其良好的线性特性、 ...
技术资料 一种基于IGBT的双管正激软开关电源的研究与设计
随着全控型器件(目前主要是功率MOSPET与IGBT)的广泛使用以及脉宽调制技术的成熟,高频软开关电源也获得了极快地发展。变换电能的电源是以满足人们使用电源的要求为出发点的,根据不同的使用要求和特点对发出电能的电源再进行一次变换。这种变换是把种形态的电能变换为另一种形态的电能,它可以是交流电和直流电之间的变换 ...
技术资料 FOC死区补偿实现
目前,小功率通用或专用变频器以及交流变频家电产品大多采用典型的交-直-交电压型逆变器(vsi)结构,逆变实现一般采用双极性 pwm调制技术,即在同一逆变桥臂上、下 2个开关管施加互补的触发信号。由于开关管自身的特性:开通和关断都需要一定的时间,且关断时间比开通时间要长。因此,若按照理想的触发信号控制开关管的开 ...
技术资料 全套资料AD9910 DDS波形信号发生器电路板及上位机
信号发生器。该波形发生器是基于ADI的AD9910 设计的,主控CPU采用ST的STM32F407VGT6,使用上位机配置AM、PM、FM、2FSK、2ASK、2PSK各种调制信号的输出。同时能够设置频率、幅度、相位的变化时间,调频信号的输出幅度,调幅信号的频率等各种配置。波形发生器是一种数据信号发生器,在调试硬件时,常常需要加入一些信号,以观 ...