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计算方法 的查询结果
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模拟电子 运算放大器增益稳定性第3部分-AC增益误差分析
本小节将回顾运算放大器增益带宽乘积 (GBWP) 即 G×BW 概念。在计算 AC闭环增益以前需要 GBWP 这一参数。首先，我们需要 GBWP（有时也称作GBP），用于计算运算放大器闭环截止频率。另外，我们在计算运算放大器开环响应的主极点频率 f0 时也需要 GBWP。在 f0 以下频率，第 2 部分的 DC 增益误差计算方法有效，因为运 ...
模拟电子 RLC串联电路谐振特性的Multisim仿真
基于探索 RLC串联电路谐振特性仿真实验技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RLC串联电路谐振特性进行了仿真实验测试，给出了几种Multisim仿真实验方案，介绍了谐振频率、上限频率、下限频率及品质因数的测试和计算方法，讨论了电阻大小对品质因数的影响。结论是仿真实验可直观形象地描述RLC串联电路的谐振特性，将电路的 ...
模拟电子 实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的 ...
模拟电子 对OC门的研究及其应用
为了让读者确实理解TTL与非门与OC门的区别，熟练地掌握OC门的应用，通过对TTL与非门的分析，和对其弊端的指出，说明研制OC门的理由，总结了OC门上拉电阻的作用和计算方法，对OC门上拉电阻的计算方法有立新的说明，总结了OC门的所有优点。
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PCB相关 LVDS与高速PCB设计
LVDS(低压差分信号)标准ANSI/TIA /E IA26442A22001广泛应用于许多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探讨了LVDS的特点及其PCB (印制电路板)设计,纠正了某些错误认识。应用传输线理论分析了单线阻抗、双线阻抗及LVDS差分阻抗计算方法,给出了计算单线阻抗和差分阻抗的公式,通过实际计算说明了差分阻抗与单线阻抗的区别,并给出 ...
电源技术 DC_DC变换器的PWA模型及预测控制
利用v自步离散法，得到变换器输入控制变量与状态变量之间的直接映射关系，基于混杂系统理论分析系统的动态方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基础上，结合非线性预测控制算法，通过模型预测系统的输出，利用反馈校正误差，给出二次型性能指标的优化计算方法，并由此设计预测控制器。最后，以Buck功率变换器为研究对象， ...
电源技术 自备电厂系统中性点接地方式探讨
文中以凌钢热电厂为工程实例对自备电厂系统中性点接地方式的选择进行了全面分析，阐述了自备电厂系统中性点接地方式选择的一些思路，介绍了一种接地装置参数的计算方法，并指出在其它自备电厂，尤其是冶金行业的自备电厂，系统中性点接地方式采用低电阻接地方式是切实可行的。
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电源技术 变压器绕组温升的几种算法比较
介绍了变压器绕组热点温升的传统直接测量方法，国家标准计算方法，热电类比模型法，BP神经网络模型和算法。分析每种方法原理并进行比较，得到相应的优缺点。验证BP神经网络模型算法在变压器绕组热点温升中的应用，证明该方法是有效的。
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电源技术 级联Blumlein型脉冲网络电感设计
为了利用级联Blumlein型脉冲形成网络在高阻抗负载产生理想的高压平顶脉冲输出，开展了构成该脉冲功率源关键单元的始端电感和终端电感设计。从充电电压一致性，输出脉冲不发生严重畸变，高的电压叠加效率，可接受的负载预脉冲幅值出发，确定了始端电感和终端电感值的计算方法，利用锰锌铁氧体磁芯的饱和特性设计电感，通过实 ...
电源技术 EMI电源滤波器的插入损耗分析
提出了共模插入损耗和差模插入损耗的计算方法,推导了滤波器插入损耗与阻抗关系的表达式,并且对这一关系作了仿真分析,仿真结果验证了理论计算和分析的正确性。