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HT45F43 特性特性特性特性 MCU 特性：内建 2x OPAs & 2x Comparators, EEPROM, HIRC 4MHz + 32K LIRC，节省外部器件 传感器：电化学 Sensor（ME2-CO） 电源电压：9V 碱性电池 高音量蜂鸣器输出：（＞85DB） 待机电流：Typ.21uA, Max.27uA 低电压检测：7.5V 自测 / 校准功能 LED 显示：红、黄、 ...

·《气体传感器论文资料》[PDF&NH&KDH]收集气体传感器的资料：★氨气传感器 NH3 CR-200 ★氨气传感器 NH3 MR-100 ★半导体臭氧气体传感器 ★半导体气敏元件 ★半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展 ★臭氧传感器O3C-5 ★臭氧传感器O3S-5 ★传感器大全分类查询表 ★低维半导体氧化物的合成及气体传感器的研制★电子鼻动态特 ...

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...

为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...

看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，E ...

对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不 ...

使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...

 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降 ...

超高压发生器输出几十千伏超高压、应用负粒子、点火、臭氧。简易超高压发生器，图1-1的电路可输出几十千伏超高压。当接通电源时，电源经R向C2充电至2CTS导通，即触发SCR导通。原来C被电源充满的电荷立即经SCR放电，升压变压器T次级感应高压电。当用汽车点火线圈作升压器，电容C1容量为0.1uF时，空气火花间长度为12mm。空气 ...