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技术资料 基于IGBT的PWM变频器的研究
变频器是指利用电力电子器件将工颊的交流电源变换为用户所需频率的交流电源，它分为直接变频（交一交变频）和间接变频（交一直-交变频），间接变频技术在稳频稳压和调频调压的利用率以及变频电源对负载特性的影响等方面，都具有明显的优势，是目前变频技术领域普遍采取的方式，本课题所研究的正是间接变频中的脉宽调制（PWM ...
技术资料 IGBT失效分析技术
近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal ...
技术资料 IGBT基本参数详解
1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty ...
技术资料 电子元器件系列知识—IGBT
一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时 ...
技术资料 基于IGBT的750kVA三相二极管箝位型三电平通用变流模块设计
IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路， ...
技术资料 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、 ...
技术资料 三相半波整流电路的设计
内容摘要电力电子为人类做出了不可磨灭的贡献，因此研究电力电子件是为时代所需。本次课程设计为三相半波整流电路的设计，本组选择方案为三相半波可控整流电路的设计。主要分为三大模块：主电路一触发电路和保护电路，其中触发电路为集成电路。所选器件基本为电阻-电感和门极可关断晶闸管（GTO）等。由于当负载为电阻和电阻 ...
技术资料 整流后滤波电解电容容量的计算
电容滤波电路单相桥式电容滤波整流电路。在负载电阻上并联了一个滤波电容C。（1）滤波原理若电路处于正半周，二极管D1、D，导通，变压器次端电压v，给电容器C充电。此时C相当于并联在v以上，所以输出波形同v，，是正弦形。在刚过90°时，正弦曲线下降的速率很慢。所以刚过90°时二极管仍然导通。在超过90°后的某个点，正弦 ...
技术资料 FOC死区补偿实现
目前，小功率通用或专用变频器以及交流变频家电产品大多采用典型的交-直-交电压型逆变器（vsi）结构，逆变实现一般采用双极性 pwm调制技术，即在同一逆变桥臂上、下 2个开关管施加互补的触发信号。由于开关管自身的特性：开通和关断都需要一定的时间，且关断时间比开通时间要长。因此，若按照理想的触发信号控制开关管的开 ...
技术资料 基于LTspice的开关电源设计及仿真
引言开关电源（SMPS：Switch Mode Power Supply）是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时问比率，维持稳定输出电压的一种电源·非隔离式DC/DC变换具有六种基本拓扑结构：降压（Buck）变换器升压（Boost）变换器极性反转升降压（Buck2Boost）变换器Cuk（Boost2Buck 联）变换器Sepic变换器Zeta变换器[-1，与线性电 ...