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模拟电子  场效应管的h参数等效模型

主要介绍场效应管H参数的模型

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模拟电子  基于BP神经网络的PID控制器的研究与实现

基于BP神经网络的PID控制器的研究与实现:

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模拟电子  亳米波微带环行器设计模型

本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。

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模拟电子  p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...

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模拟电子  量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法

采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。

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模拟电子  低噪声放大器(LNA)

LNA的功能和指标二端口网络的噪声系数Bipolar LNAMOS LNA非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配参考文献LNA 的功能和指标&#8226; 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要&#8226; 主要指标– 噪声系数(NF)取决于系统要求，可从1 dB 以下到好几个dB， NF与工作点有关– 增 ...

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模拟电子  一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法

为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善 ...

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第一章&nbsp; 基础知识由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。1.1&nbsp; 电路与电路模型1.2&nbsp; 电路分析的基本变量1.3&nbsp; 电阻元件和独立电源元件1.4&nbsp; 基尔霍夫定律1.5&nbsp; 受&nbsp; 控&nbsp; 源1.6&nbsp; 两类约束和KCL，KVL方程的独立性1.1&nbsp; 电路与电路模型1.电路2.电路的形式与 ...

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模拟电子  双T网络资料

双T网络

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PCB相关  被动组件之电感设计与分析

随着高频微波在日常生活上的广泛应用，例如行动电话、无线个人计算机、无线网络等，高频电路的技术也日新月异。良好的高频电路设计的实现与改善，则建立在于精确的组件模型的基础上。被动组件如电感、滤波器等的电路模型与电路制作的材料、制程有紧密的关系，而建立这些组件等效电路模型的方法称为参数萃取。早期的电感制 ...

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