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模拟电子 IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信号完整性问题
本文是关于在印刷电路板 (PCB) 开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范(IBIS) 模拟模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。“第 1 部分”讨论了 IBIS仿真模型的基本组成，以及它们在 SPICE 环境中产生的过程1。“第 2 部分”讨论了 IBIS 模型有效性验证。2 在设计阶段，我们会碰到许多信号完整性问 ...
模拟电子 STD标准中信号模型同步和门控机制研究
随着对IEEE1641标准研究的逐渐深入，信号的构建成为了研究重点。对信号模型进行同步和门控控制，可以影响到TSF（测试信号框架）模型的输出，从而达到控制信号的目的，使测试需求更加完善以及测试过程更加精确。
模拟电子 复合卡诺图在多输出组合逻辑电路设计中的应用
为了使设计的多输出组合逻辑电路达到最简，运用复合卡诺图化简多输出函数，找出其各项的公共项，得到的表达式不一定是最简的，但是通过找公共项，使电路中尽量使用共用的逻辑门，从而减少电路整体的逻辑门，使电路简单。结果表明，利用复合卡诺图化简后设计出的电路更为简单。
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模拟电子 基于仿射变换模型的图像跟踪系统的实现
文中设计研制了一种新型的基于仿射变换模型的实时图像跟踪系统。本跟踪系统已经通过实践检验，能够稳定的、准确的、快速的跟踪目标。并且系统有很大的升级潜力，除了能够满足仿射变换跟踪的要求之外，还能适用于其他的一些算法，构成鲁棒性更强的图像跟踪系统。实践证明该跟踪系统性能优于经典的相关跟踪系统。
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模拟电子 基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法
为了提高图像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移，使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理，然后将降噪后的图像进行循环反平移，最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理，以减少去噪后图像的失真。实验结果表明，该方法不仅可以提高降噪后 ...
模拟电子 场效应管的h参数等效模型
主要介绍场效应管H参数的模型
模拟电子 亳米波微带环行器设计模型
本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。
模拟电子 p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
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模拟电子 量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
模拟电子 电子设备电磁兼容仿真模型研究
针时引起电磁干技的主要因素一缝隙．本文提出了缝隙转移阻抗等效建模方法，并在文中详细论述，为快速、正确预测电于设备中电磁兼容的性能提供方法和理论依据。