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瞬时电流 的查询结果
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模拟电子 电位计讯号转换器
电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离;如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号,机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器,除了能提供两组讯号输出(输出间 ...
模拟电子 跨阻滤波器的快速实用设计
跨阻滤波器是将输入的电流信号转换成电压信号的同时完成信号滤波的一种新型滤波器。给出跨阻滤波器的快速实用设计。通过插入一个电压跟随器,可将常用的电压模式滤波器设计方法移植到跨阻滤波器设计中,从而可以实现跨阻滤波器的设计。文中给出了带阻跨阻滤波器的设计实例,仿真结果验证了所提出的设计方法的正确性。 ...
模拟电子 如何设计升压转换器MAX17597峰值电流模式控制器
Abstract: This application note describes how to design boost converters using the MAX17597 peakcurrent-mode controller. Boost converters can be operated in discontinuous conduction mode (DCM) orcontinuous conduction mode (CCM). This operating mode can affect the component choices, stress levelin ...
模拟电子 常用D/A转换器和A/D转换器介绍
常用D/A转换器和A/D转换器介绍
下面我们介绍一下其它常用D/A转换器和 A/D 转换器,便于同学们设计时使用。
1. DAC0808
图 1 所示为权电流型 D/A 转换器 DAC0808 的电路结构框图。用 DAC0808 这类器件构 成的 D/A转换器,需要外接运算放大器和产生基准电流用的电阻。DAC0808 构成的典型应用电路如图 ...
模拟电子 用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除和非线性失真抵消,具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计,芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V,总电流为8 mA,后仿真结果增益为19.2 dB,噪声因子为2. ...
模拟电子 定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 ...
模拟电子 BJT与MOSFET的开关应用
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。
前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10KΩ。于是我笑笑说你把 ...
模拟电子 HHT方法在探地雷达回波信号特征提取上的应用
探地雷达回波信号是一种非平稳非线性信号,其中不仅包含地下埋藏物的目标信号,还包含有可能掩藏目标信号的直达波信号,给目标的识别带来困难。文中采用HHT方法对探地雷达回波信号进行特征分析,提取回波信号的IMF分量的瞬时频率作为特征向量。实验结果表明,用HHT方法提取特征可较好的避免直达波影响,该方法是可行而有效 ...
模拟电子 LM393中文资料
LM393是双电压比较器集成电路。中文资料
该电路的特点如下:838电子
工作电源电压范围宽,单电源、双电源均可工作,单电源:2~36V,双电源:±1~±18V;
消耗电流小,Icc=0.8mA;lm393是什么
输入失调电压小,VIO=±2mV;
共模输入电压范围宽,Vic=0~Vcc-1.5V;
输出与TTL,DTL,MOS,CMOS 等兼容;
输 ...
模拟电子 COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:
对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...