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电源技术 CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24216.html
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电源技术 电站设计中低压软启动器的选用

  现在常用的软启动器主要有三种:电子式、磁控式和自动液体电阻式。   电子式以晶闸管调压式为多数。变频器在某种意义上也是一种软启动器,而且是能够真正地实现软启动的启动器,但设备较贵,为降低水电站单位千瓦造价,目前很少采用。   ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24232.html
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电源技术 一种高精度带隙基准源

在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
https://www.eeworm.com/dl/505/24248.html
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电源技术 直流屏电源监控与绝缘检测系统设计

基于直流屏的电源监控系统的各模块功能划分与采样通道多等特点,设计了以MSP430单片机为控制核心,CPLD扩展端口的控制系统。比较分析了几种直流系统常用的绝缘检测方法,采用乒乓式变电桥测量法,实现了接地电阻的准确在线测量。现场运行表明,控制系统具有测量精度高、测量快速、可靠性高以及成本低等优点。   ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24256.html
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电源技术 M8电源

M8电源:如果想扩流使用,需要多个功率管并联,必须加均流电阻。并且同时要增加主滤波和泄放电阻。功率管多需要增加一级推动管。 液晶的连接图。【注意1脚位置】   液晶的背光接法:从液晶背后标记A和K的位置引出背光电源,接到M8V4电源板上标记LED的位置。注意有正负,反了背光不亮。 首次通电,需要调整液晶对 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24291.html
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电源技术 8位LED恒流驱动芯片具错误侦测功能

  DM11C 是专为LED 显示应用所设计的沈入电流式恒流驱动芯片。内建移位缓存器,数据锁存器,以及恒流电路组件于硅CMOS 芯片上。8 个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。内建开/短路侦测电路组件帮助使用者侦测LED 异常(开路与短路)。系统可藉由读回串行输出端的侦测数据与原始数据进行比对以判定哪一通道发生异常 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24293.html
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电源技术 空间微小间隙放电的伏距特性

    电阻电压降的空气击穿强度为 500KV/m 已是共识,然而笔者在研制“低压电源避雷绝缘子”专利产品过程中,发现小间隙的电阻电压降的空气击穿强度大大高于此值,于是就对空气微小间隙放电的伏距特性进行了测试研究。发现了空气间隙放电的伏距特性随着间隙的增大由非线性变化区段发展到线性变化区段的 ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24302.html
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电源技术 无需检测电阻的小型DFN封装电路断路器

  Traditionally, an Electronic Circuit Breaker (ECB) comprisesa MOSFET, a MOSFET controller and a current senseresistor. The LTC®4213 does away with the sense resistorby using the RDS(ON) of the external MOSFET. The resultis a simple, small solution that offers a signifi cant lowinserti ...
https://www.eeworm.com/dl/505/24312.html
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电源技术 DN466集成热插拔控制器,MOSFET和检测电阻

  In general, a Hot Swap controller provides two importantfunctions to boards that can be plugged and unpluggedfrom a live backplane:
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电源技术 基于集成电路CD4040的电子电位器制作

使用二进制集成电路CD4040可制作电子电位器。CD4040集成电路各脚功能。电位可有4096挡次,如电压在4.096V,每伏有1000个1mV变化进位挡,每进1位上升1mV,电路二进制位0~11位以高位电阻最小。如第11位50kΩ、第10位100kΩ、第9位200kΩ、第8位400kΩ、第7位80 ...
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