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模拟电子 CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
模拟电子 I2C上拉电阻取值问题
I2C 的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K.
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色环电阻识别小程序V1.0--功能说明：
1、能直接根据色环电阻的颜色计算出电阻值和偏差；
2、能根据电阻值，反标电阻颜色；
3、支持四环、五环电阻计算；
4、带万用表直读数；
色环电阻识别小程序--使用说明：
1、选择电阻环数；（四环电阻或五环电阻）
2、如果是“色环转阻值”则：鼠标 ...
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电源技术 AN7003_IGBT驱动栅极电阻选择原则及应用
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