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模拟电子 整流滤波电容的设计与选用方法研究

整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波电路原理,阐述了纹波电压产生的过程,给出了一种滤波电容设计与选取计算方法,建立了电容选取的计算模型,描绘出了纹波电压、负载电阻与滤波电容之间关系曲线 ...
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模拟电子 数字电路讲座:寄存器计数器分频器

数字电路讲座:寄存器计数器分频器
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模拟电子 上下拉电阻小结

上下拉电阻的小结,希望对大家有用
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模拟电子 倍压电路的教程

很不错的关于倍压电路的教程,虽然有点小,但很不错……
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模拟电子 CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
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模拟电子 1N系列稳压管参数

1N系列稳压管参数
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模拟电子 COOLMOS_原理结构

看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...
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模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...
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模拟电子 0欧电阻的作用

0欧电阻的作用
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模拟电子 基于HVS的空域分块数字水印技术

 数字水印作为一种防护技术,在数字产品的保护认证方面越发显得重要,成为当前计算机领域研究的热点问题之一。提出了一种在空域采用分块重复嵌入水印信息和HVS相结合的水印技术。实验结果说明,分块技术在空域的使用提高了水印的嵌入强度和降低计算复杂度,该算法在抵抗旋转、裁剪、缩放方面等有较强能力;水印算法与H ...
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