搜索结果
找到约 6,075 项符合
电压型 的查询结果
按分类筛选
- 全部分类
- 技术资料 (101)
- 学术论文 (85)
- 电源技术 (63)
- 单片机编程 (42)
- 单片机开发 (16)
- 模拟电子 (14)
- 测试测量 (14)
- VIP专区 (13)
- 汇编语言 (6)
- 电子元器件应用 (5)
- 其他 (5)
- 行业应用文档 (4)
- 传感与控制 (4)
- 技术书籍 (4)
- 其他文档 (3)
- VHDL/FPGA/Verilog (3)
- 其他书籍 (3)
- 技术教程 (2)
- 电机控制 (2)
- PCB相关 (2)
- 开发工具 (2)
- 可编程逻辑 (2)
- 工控技术 (2)
- 其他嵌入式/单片机内容 (2)
- 电子书籍 (2)
- 人工智能/神经网络 (2)
- matlab例程 (2)
- 手册 (2)
- 资料/手册 (1)
- 数值算法/人工智能 (1)
- 教程资料 (1)
- 无线通信 (1)
- 实用工具 (1)
- 文件格式 (1)
- 文章/文档 (1)
- 软件设计/软件工程 (1)
- 嵌入式/单片机编程 (1)
- 能源行业(电力石油煤炭) (1)
- 仿真技术 (1)
- 论文 (1)
- 书籍 (1)
- 笔记 (1)
- 其他 (1)
模拟电子 利用数字电位计AD5292构建30V低成本DAC
图1所示电路采用digiPOT+系列数字电位计AD5292、双通道运算放大器ADA4091-2和基准电压源ADR512,提供一种低成本、高电压、单极性DAC。该电路提供10位分辨率,输出电压范围为0 V至30 V,能够提供最高±20 mA的输出电流。AD5292可以通过SPI兼容型串行接口编程。
...
模拟电子 开环电压增益AVOL的定义与量测方法
运算放大器,开环电压增益AVOL的定义与量测方法。
模拟电子 多种温度传感器信号调理电路设计
为了测量某试件多点温度,且温度跨度很大,还要达到要求精度,本文利用几种不同类型的传感器(AD590、PT1000和K型热电偶)进行采集,其输出形式(电流源、电阻和热电势)和大小均不相同,设计了电源电路、信号转换电路和放大抬升电路,使各种传感器的输出达到统一的1~5 V的标准信号;在实验室利用高精度电压、电流源和电阻 ...
模拟电子 基于F1596的乘积型混频器电路设计与实现
针对混频器在接收机电路中的重要性,设计实现了一种基于F1596的乘积型混频器电路。为使该电路能够输出频率稳定的信号,在电路设计中采用鉴频器取样控制VCO产生的本振信号,使该电路具有频谱纯净、失真度小、输出稳定等优点,满足了接收机混频器的使用要求。 ...
模拟电子 交流电压,电流转换器
交流电压,电流转换器 特点: 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 &plusmn;5℃) 输入负载: <0.2VA(voltage) < ...
模拟电子 用ADC0832设计的两路电压表
用ADC0832设计的两路电压表1 源代码
模拟电子 CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
模拟电子 4-20mA~0-5V两通道模拟信号隔离采集A D转换器
isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输,广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统,4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制,小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置,可接入多种传感器类型,包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部 ...
模拟电子 4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(&ge;1 m&omega;),较强的带负载 ...
模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。
但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...