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模拟电子 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
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模拟电子 CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
模拟电子 COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:
对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...
模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。
但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...
模拟电子 SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
模拟电子 p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
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电源技术 N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降 ...
单片机编程 基于ATmega16L的瓦斯监测报警系统设计
针对我国煤矿安全生产情况,提出了一种以ATmega16L单片机为核心的瓦斯监测报警系统设计方案。该系统采用LXK-3传感器检测矿井瓦斯浓度,利用ULN2803驱动处理后进行实时显示,同时使用nRF2401通过无线方式实现上、下位机间数据传输。当瓦斯浓度超限时,及时发出声光报警。 ...
单片机编程 基于单片机的轿车内一氧化碳气体测控系统设计
设计了一个基于单片机的轿车车内一氧化碳浓度测控功能的系统。该系统以16位高性能单片机SPCE061A为控制核心,采用高精度敏感元件MQ-7,集成运算放大器INA128进行信号调理,并引入了实时操作系统μC/OS-II进行任务管理。实验表明:系统实现了轿车空调运行时一氧化碳气体的实时监控,CO浓度不超过300 ppm,同时具有温度测量 ...
单片机编程 基于AT89C52单片机的烟雾报警器设计
介绍了一种基于AT89C52单片机和MQ-2型半导体电阻式烟雾传感器的烟雾报警器设计。该烟雾报警器具有声光报警、浓度显示以及与上位机串口通信等功能。其结构简单,价格低廉,性能稳定,具有较好的实用价值。