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技术资料 GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形,分 ...
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学术论文 级联多电平变频器测控系统的设计.rar

多电平逆变器中每个功率器件承受的电压相对较低,因此可以用低耐压功率器件实现高压大容量逆变器,且采用多电平变换技术可以显著提高逆变器输出电压的质量指标。因此,随着功率器件的不断发展,采用多电平变换技术将成为实现高压大容量逆变器的重要途径和方法。本文选取其中一种极具优势的多电平拓扑结构一级联多电平变频器 ...
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学术论文 基于DSP的全数字通信高频开关电源的研究与设计.rar

随着电信业的迅猛发展,电信网络总体规模不断扩大,网络结构日益复杂先进。作为通讯支撑系统的通讯用基础电源系统,市场需求逐年增加,其动力之源的重要性也日益突出。庞大的电信网络高效、安全、有序的正常运行,对通信电源系统的品质提出了越来越严格的要求,推动了通信电源向着高效率、高频化、模块化、数字化方向发展。 ...
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学术论文 基于DSP的三电平SVPWM逆变器的研究.rar

近年来在运动控制领域三电平中压变频器的开发研究得到了广泛关注,三电平逆变器使得电压型逆变器的大容量化、高性能化成为可能,研究和开发三电平逆变器,无论在技术上还是在实际应用上都有十分重要的意义。 本文首先论述了三电平逆变器的原理,详细分析了一种控制策略—空间电压矢量法,给出PWM波的计算公式和开关动作次序 ...
https://www.eeworm.com/dl/514/8882.html
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电源技术 四相升压型转换器提供348W功率而无需采用散热器

在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
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电源技术 光伏电池聚光特性

基于槽式聚光热电联供系统,深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明,聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列,高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄,短路电流成倍增加,增加输出功率,但同时耗尽层复合率变大,开路电压降低,制约阵列的输出功率;高光强 ...
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无线通信 高效率E类射频功率振荡器的设计

主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法,通过电路等效变换,E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构,MOS管工作在软开关状态,漏极高电压、大电流不会同时交叠,大大降低了功率损耗,在同等工作条件下,能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件,结合E类射频振荡器在等 ...
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无线通信 SPDT微波开关的设计

  随着微波半导体器件的成熟,工艺加工技术的改进,以及砷化镓材料设备的完善,器件成品率提高,使单片微波电路的研究已具备现实的条件。微波开关也被单片集成化。这使得微波开关具有体积小,重量轻,结构简单、制作容易、可靠性高等优点,是微波和毫米波控制电路的重要器件,广泛用于微波和毫米波雷达,通信, ...
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技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
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技术资料 科普知识《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页

PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料(电子胶水)工作,为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术,自学了《电子封装材料 与工艺》,貌似一本不错的教材,在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中,有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集 ...
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