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模拟电子  LVDS接口EMC设计标准电路

LVDS接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21146.html

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模拟电子  VIDEO接口EMC设计标准电路

VIDEO接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21149.html

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模拟电子  USB接口EMC设计标准电路

USB接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21152.html

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模拟电子  VGA接口EMC设计标准电路

VGA接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21155.html

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模拟电子  xDSL接口EMC设计标准电路

xDSL接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21158.html

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模拟电子  以太网接口EMC设计标准电路

以太网接口EMC设计标准电路:

https://www.eeworm.com/dl/571/21161.html

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模拟电子  1149.4标准

IEEE1149.4混合信号测试总线标准

https://www.eeworm.com/dl/571/21202.html

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模拟电子  亳米波微带环行器设计模型

本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。

https://www.eeworm.com/dl/571/21223.html

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模拟电子  p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/21233.html

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模拟电子  量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法

采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。

https://www.eeworm.com/dl/571/21234.html

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