搜索:栅栏效应

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MOSFET开关损耗分析

为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。 ...
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浅析单片机开发应用技巧

本文首先分析了单片机的应用特点,随后介绍了单片机的开发技巧,包括抑制程序BUG、提升C语言编程效率、提高单片机的抗干扰性、测试系统运行状态等,最后介绍了单片机的有效应用,包括使用寿命、运行速度、高可靠性和低噪音技术、掩膜与OTP等。 ...
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基于全光纤马赫—曾德尔干涉仪的电流传感研究

本文研究了一种基于全光纤马赫—曾德尔干涉仪的高灵敏度电流传感器, 干涉仪的一个臂在细金属套管中穿过, 对细金属管通以直流电, 利用电流的热效应对干涉仪的两臂长差进行调谐, 从而实现了一种相位调制型电流 ...
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三相光学电流传感器的实验研究

提出了一种用于测量电力系统三相电流的光学电流传感器系统,建立了基于法拉第磁致旋光效应的三相光学电流传感器系统的数学模型,对三相光学电流传感器进行了实验研究. 实验结果与理论分析的结论是一
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电路图符号大全

VCC 是电路的供电电压,:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压, VDD 是芯片的工作电压;D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压, 在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd VSS:S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。 VEE:负电压供电;场效应管的源极(S),VEE 和VSS 为电源负正或者 ...
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UGN3503U

UGN3503U是一款经过广泛验证的线性霍尔效应传感器,适用于各种精密测量应用。它提供了高精度、温度稳定性和低噪声性能,是工程师在设计电流检测电路和位置传感系统时的理想选择。无论是在工业自动化还是汽车电子领域,UGN3503U都能提供可靠的数据参数支持。 ...
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实现二维基本图元直线段生成的基本算法(DDA

实现二维基本图元直线段生成的基本算法(DDA,中点法,Bresenham)实现二维基本图元圆弧/椭圆圆弧生成的基本算法(中点法)实现对线型线宽的属性的控制实现二维多边形扫描转换的扫描线算法实现二维多边形扫描转换的边缘填充算法或栅栏填充算法实现二维连通区域填充的扫描线种子填充算法(四连通或八连 ...
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运放中恒流源电路分析方法

运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路,以及恒流源电路输出电阻的计算等。   分析恒流源电路的方法是:         (1)确定恒流源电路中的基准晶体管或场效应管;  &n ...
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https://www.eeworm.com/dl/502/29312.html 单片机编程

基于ATmega48单片机的可调交流电子负载的设计

介绍一种无极可调交流电子负载设计的新方法,由ATmega48单片机输出PWM波,通过上位机设定不同的占空比控制场效应管的通断时间,即改变流过场效应管的平均电流。根据电流的大小,可以等效为相应的负载,并将采集的电流值显示在上位机上。文中对该系统的软﹑硬件设计思路作了详细的分析,阐述了其设计原 ...
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变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断

本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块,及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点,但也有导通压降大,电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点,如电流控制、导通压降小,功率容量大等,二者复合,正所谓优 ...
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