搜索：数据库模型 - 虫虫下载站

技术书籍  计及风电随机性的风-火机组组合模型研究

　　风电的随机性改变了传统的机组组合模型。为了计及风电随机性、更好地利用好风电，运用机会约束的方法考虑风电随机对机组组合的影响，提出一种可既避免模型复杂化又计及风电随机性的机组组合模型，并用随机模拟的方法来实现风电随机性的机会约束。通过算例证明模型的正确性。 ...

https://www.eeworm.com/dl/537/20157.html

下载: 127

查看: 1049

技术书籍  数据库原理与应用课程教学方法研究

　　Access数据库原理与应用是高职计算机相关专业的一门专业基础课程，但在Access数据库教学的过程中，发现学生对Access数据库的理解与应用却不如人意。为了学生通过该课程的学习可以掌握一种数据库技术，本文采用实态调查、比较研究和归纳研究的方法对该课程的教学方法进行了研究，提出了新的教学方法和思路，达到提高教 ...

https://www.eeworm.com/dl/537/20181.html

下载: 108

查看: 1029

模拟电子  IBIS模型之第2部分-IBIS模型总质量的确定

本文是三部曲系列文章的第 2 部分。第 1 部分（请见参考文献 1）讨论了数字输入/输出缓冲器信息规范 (IBIS) 仿真模型的基本要素，以及它们在 SPICE 环境中的产生过程。本文（第 2 部分）将研究 IBIS 模型正确性检测。第 3 部分将刊登在后续《模拟应用期刊》上，其将介绍 IBIS 用户如何对印刷电路板 (PCB)开发阶段出现的信 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/20422.html

下载: 93

查看: 1053

模拟电子  IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信号完整性问题

本文是关于在印刷电路板 (PCB) 开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范(IBIS) 模拟模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。&ldquo;第 1 部分&rdquo;讨论了 IBIS仿真模型的基本组成，以及它们在 SPICE 环境中产生的过程1。&ldquo;第 2 部分&rdquo;讨论了 IBIS 模型有效性验证。2 在设计阶段，我们会碰到许多信号完整性问 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/20424.html

下载: 171

查看: 1068

模拟电子  STD标准中信号模型同步和门控机制研究

随着对IEEE1641标准研究的逐渐深入，信号的构建成为了研究重点。对信号模型进行同步和门控控制，可以影响到TSF（测试信号框架）模型的输出，从而达到控制信号的目的，使测试需求更加完善以及测试过程更加精确。

https://www.eeworm.com/dl/571/20569.html

下载: 32

查看: 1029

模拟电子  基于仿射变换模型的图像跟踪系统的实现

文中设计研制了一种新型的基于仿射变换模型的实时图像跟踪系统。本跟踪系统已经通过实践检验，能够稳定的、准确的、快速的跟踪目标。并且系统有很大的升级潜力，除了能够满足仿射变换跟踪的要求之外，还能适用于其他的一些算法，构成鲁棒性更强的图像跟踪系统。实践证明该跟踪系统性能优于经典的相关跟踪系统。 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/20776.html

下载: 173

查看: 1086

模拟电子  基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法

为了提高图像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移，使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理，然后将降噪后的图像进行循环反平移，最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理，以减少去噪后图像的失真。实验结果表明，该方法不仅可以提高降噪后 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/20811.html

下载: 45

查看: 1051

模拟电子  场效应管的h参数等效模型

主要介绍场效应管H参数的模型

https://www.eeworm.com/dl/571/20997.html

下载: 128

查看: 1105

模拟电子  亳米波微带环行器设计模型

本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。

https://www.eeworm.com/dl/571/21223.html

下载: 178

查看: 1061

模拟电子  p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/21233.html

下载: 191

查看: 1041

搜索结果

按分类筛选