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技术资料
模拟集成电子电路（下）.PDF
资料->【B】电子技术->【B0】电子技术->【2】模拟电路->模拟集成电子电路（下）.PDF
https://www.eeworm.com/dl/878355.html
技术资料
模拟集成电子电路（上）.pdf
资料->【B】电子技术->【B0】电子技术->【2】模拟电路->模拟集成电子电路（上）.pdf
https://www.eeworm.com/dl/881168.html
技术资料
功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。 ...