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其他行业 氧化沟的设计方法讨论 首先

氧化沟的设计方法讨论 首先,氧化沟属延时曝气活性污泥工艺,其原理和参数已有大量文献报道
https://www.eeworm.com/dl/668/271105.html
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单片机开发 嵌入式应用如图1所示

嵌入式应用如图1所示,当P1.0端口输出高电平,即P1.0=1时,根据发光二极管的单向导电性可知,这时发光二极管L1熄灭;当P1.0端口输出低电平,即P1.0=0时,发光二极管L1亮;我们可以使用SETB P1.0指令使P1.0端口输出高电平,使用CLR P1.0指令使P1.0端口输出低电平。 作为单片机的指令的执行的时间是很短,数量大微秒级, ...
https://www.eeworm.com/dl/648/273777.html
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uCOS 开发环境:IAR3.10 本程序成功将ucos2移植到MSP430F149上

开发环境:IAR3.10 本程序成功将ucos2移植到MSP430F149上,调试通过。 将所有C文件包含到工程中,编译通过。 应用程序:app.c 主要为了测试,编写了两个任务,分别为P1.0延时10个时钟节拍反向,P1.1延时20个时钟节拍反向,在MSP430上测试成功 ...
https://www.eeworm.com/dl/649/275403.html
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数学计算 一个使用在VC++里

一个使用在VC++里,一个微妙级的延时程序,包括整个测试代码
https://www.eeworm.com/dl/641/277625.html
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手机短信编程 短信通用接口

短信通用接口,已经封装,支持通道与非通道,群发与上行时间延时小于30秒 QQ:8135
https://www.eeworm.com/dl/622/283450.html
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matlab例程 1、Rayleigh_Doppler_singlePath.m 产生单径Rayleigh衰落

1、Rayleigh_Doppler_singlePath.m 产生单径Rayleigh衰落,采用了6种方法并进行了比较,推荐使用第6种方法; 2、Rayleigh_Doppler_multiPath.m 根据多条径的延时和强度,产生频率选择性衰落; 在单径和多径两个程序中,均提供了其功率谱的输出代码; ...
https://www.eeworm.com/dl/665/285054.html
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VHDL/FPGA/Verilog 状态机设计

状态机设计,用VHDL进行MEALY型状态机的设计。由于两个程序本身有延时现象,本实验进行了改进。
https://www.eeworm.com/dl/663/285421.html
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单片机开发 WINAVR编写的LED流水灯程序

WINAVR编写的LED流水灯程序,调用WINAVR自带的延时程序
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单片机开发 Slave: 速度改为1-15

Slave: 速度改为1-15,0时全亮并且没有计时。开始延时,并且P0闪烁1-2s。后全灭。 MASTER: 修改头文件。
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单片机开发 程序说明: 此程序首先对时钟芯片写入初值

程序说明: 此程序首先对时钟芯片写入初值,延时后再读取时钟值,并年,月,日,时,分,秒 // 分别显示在LCD屏上。
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