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应力降额 的查询结果
技术资料 JESD79-5 DDR5 Spec
JESD DDR SpecDDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动范围为3%（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添 ...
技术资料 SM5401移动电源芯片兼容HT4928替代TP4333
SM5401 是一款集成锂电池充电管理，LED 指示功能，升压转换器的移动电源管理芯片，外围只需极少的元件，就可以组成性能完备的移动电源方案。SM5401 内部集成了 0.8A 的线性充电模式，支持对 0V 电池充电；具有涓流/恒流/恒压三种模式充电，恒定电压 4.20V（典型值）；内置 IC 温度和输入电压智能调节充电电流；SM5401 内部 ...
技术资料 PW4065_2.0.pdf规格书下载
PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器，带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保护的芯片，兼容大小 3mA-600mA 充电电流。 PW4065 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环 ...
技术资料 PW4054_2.0.pdf规格书下载
PW4054 是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。PW4054 适合给 USB 电源以及适配器电源供电。基于特殊的内部 MOSFET 架构以及防倒充电路， PW4054 不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压固定在 4.2V，而充电电流则可以通过 ...
技术资料 MYD-Y7Z010 007S开发板 用户 手
MYD-Y7Z010/007S开发板 开发板 由 MYC-Y7Z010/007S核心板 加 MYB-Y7Z010/007S底板 组成 。核心板 核心板 采用了 Xilinx最新的基于 最新的基于 最新的基于 28nm工艺的 工艺的 Zynq-7000 All Programmable SoC平 台， 集成了 集成了 单/双核 ARM Cortex-A9处理器和 处理器和 处理器和 FPGA，具有 高性能，低功耗 高性能，低功 ...
技术资料 支持15W 快充的2 节 3 节串联锂电池升压充电IC
IP2326 集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低BOM 成本。
技术资料 常用电源类芯片Altium Designer AD原理图库元件库
常用电源类芯片Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 电源类芯片.csvLibrary Component Count : 70Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------78Lxx ...
技术资料 同源多传感器加权数据融合算法的研究
在工业应用中常用一组传感器对问一个被测量目标在一个过程的不同位置进行测量，然而由于每个传感器位于过程的不同位置，它们将不问程度的受到嗓声的干扰，为了从被嗓声干扰的多传感器测量值中获得更准确的测量结果，霱要进“步研究多传感器的融合理论多传感器数据融合系统的关键在于如何充分利用各个传感器的信息，得到对被 ...
技术资料 基于多源测量数据融合的三维建模技术研究
本文以某油田数字化改造项目为背景，研究内容主要分为如下四个部分（1）三维激光扫描仪在扫描作业中会产生精度不符合项目要求的问题，导致后续的维模型精度无法达到要求。本文系统分析了扫描仪的误差来源，采用单边法和交叉双边法的标定实验方案，可以较快、较准确的检验三维激光扫描仪的精度，为后续数据获取奠定了良好的 ...
技术资料 MOS管的米勒效应-讲的很详细
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒 ...