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模拟电子 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20305.html
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模拟电子 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm ...
https://www.eeworm.com/dl/571/20482.html
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模拟电子 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21020.html
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模拟电子 采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析

本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。
https://www.eeworm.com/dl/571/21212.html
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模拟电子 快响应低漂移微电流放大器的设计

介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术,该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一,其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。
https://www.eeworm.com/dl/571/21250.html
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模拟电子 CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路

共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应,在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路,且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21259.html
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模拟电子 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计

设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983. ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21400.html
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模拟电子 模拟cmos集成电路设计(design of analog

模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21468.html
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PCB相关 PCB设计基本工艺要求

PCB工艺要求
https://www.eeworm.com/dl/501/21586.html
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PCB相关 PCB设计要求简介

PCB设计要点 一.PCB工艺限制 1)线  一般情况下,线与线之间和线与焊盘之间的距离大于等于13mil,实际应用中,条件允许时应考虑加大距离;布线密度较高时,可考虑但不建议采用IC脚间走两根线,线的宽度为10mil,线间距不小于10mil。特殊情况下,当器件管脚较密,宽度较窄时,可按适当减小线宽和线间距。  2)焊盘 ...
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